Isısal uyarımlı iletkenlik metodu ve tabakalı tek kristal yapılı yarıiletkenlerdeki uygulaması
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2006-05-24
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışma, optik ve elektriksel özellikleri nedeniyle optoelektronik aletlerde yaygın kullanımı olan talyum kalgonitlerinden TlGaSe2 ve TlGaS0.5Se1.5 kristallerindeki kusurların Isısal Uyarımlı İletkenlik (TSC) yöntemi ile tespiti amacıyla yapılmıştır. Bu tezde Isısal uyarımlı iletkenlik yönteminin teorisi, gerekli deney düzeneği, numunelerin hazırlanmasının yanısıra ve deney sonuçlarından kristal kusurlarına ilişkin bazı parametrelerinin (aktivasyon enerjisi, tuzak yakalama kesiti ve tuzak yoğunlukları) nasıl elde edildiği incelenmiş ve bulunan sonuçlar açıklanmıştır. TlGaSe2 numunesinde 98 ve 130 meV (sırasıyla 120.2 ve 153 K) aktivasyon enerjisine sahip kristal kusurlardan kaynaklanan tuzaklanma merkezleri tesbit edilmiştir. Bu tuzak merkezlerine ait tuzak yakalama kesitleri sırasıyla 2.3 Ã 10 â 24 ve 1.8 Ã 10 â 24 cm2 ; tuzak yoğunlukları ise sırasıyla 1.4 Ã 1014 ve 3.8 Ã 1014 cm -3 olarak bulunmuştur. TlGaS0.5Se1.5 numunesinde ise aktivasyon enerjisi 650 meV (216.8 K) tuzaklanma merkezi tesbit edilmiştir. Bu tuzak merkezine ait tuzak yakalama kesiti sırasıyla 8.55 Ã 10 â 18 cm2 ve tuzak yoğunluğu ise 7.15 Ã 1016 cm -3 olarak bulunmuştur.
Thallium chalcogenides received a great deal of attention due to their optical and electrical properties in view of possible optoelectronic device applications. TlGaSe2 ve TlGaS0.5Se1.5 crystals? defect centers were analyzed by Thermally Stimulated Current (TSC) method. The theory of TSC, sample experimental setup and sample preparation were explained. Then, some parameters such as; activation energy, capture cross section, concentration of trap centers were found from the results of experiments. TlGaSe2 has trapping centers casued by crystal defects with activation energies of 98 and 130 meV (respectively 120.2 and 153 K). These trapping centers have capture cross sections of 2.3 Ã 10 â 24 ve 1.8 Ã 10 â 24 cm2 and concentrations of 1.4 Ã 1014 and 3.8 Ã 1014 cm -3 respectively. Only one trapping center was detected in TlGaS0.5Se1.5 with activation energy of 646 meV (120.2 K). This trapping center has a capture cross section of 8.55 Ã 10 â 18 cm2 and concentration of 7.15 Ã 1016 cm -3.
Thallium chalcogenides received a great deal of attention due to their optical and electrical properties in view of possible optoelectronic device applications. TlGaSe2 ve TlGaS0.5Se1.5 crystals? defect centers were analyzed by Thermally Stimulated Current (TSC) method. The theory of TSC, sample experimental setup and sample preparation were explained. Then, some parameters such as; activation energy, capture cross section, concentration of trap centers were found from the results of experiments. TlGaSe2 has trapping centers casued by crystal defects with activation energies of 98 and 130 meV (respectively 120.2 and 153 K). These trapping centers have capture cross sections of 2.3 Ã 10 â 24 ve 1.8 Ã 10 â 24 cm2 and concentrations of 1.4 Ã 1014 and 3.8 Ã 1014 cm -3 respectively. Only one trapping center was detected in TlGaS0.5Se1.5 with activation energy of 646 meV (120.2 K). This trapping center has a capture cross section of 8.55 Ã 10 â 18 cm2 and concentration of 7.15 Ã 1016 cm -3.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Isısal uyarımlı iletkenlik, Tabakalı yarıiletken, Aktivasyon enerjisi, Tuzak yakalanma kesiti, Tuzak yoğunluğu, Concentration of traps, Capture cross section, Activation energy, Layered semiconductor, Thermally stimulated current
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Kavas, H. (2006). Isısal uyarımlı iletkenlik metodu ve tabakalı tek kristal yapılı yarıiletkenlerdeki uygulaması. Selçuk Üniversitesi, Yayımlanmış yüksek lisans tezi, Konya.
