Yüksel, Ömer FarukBayram, Hilmi2017-10-272017-10-272010-07-01Bayram, H. (2010). Al/p-Si (100) Schottky engelli diyotların I-V ölçümleri. Selçuk Üniversitesi, Yayımlanmış yüksek lisans tezi, Konya.https://hdl.handle.net/20.500.12395/6365Bu çalışmada, (100) yönelimli, 280 kalınlığında, bor (B) katkılı p tipi Si kullanılarak termal buharlaştırma metodu ile Al/p-Si diyot hazırlandı. Bu diyotun 296-380 K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklar için akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler kullanılarak, farklı yöntemlerle schottky diyotun idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç parametreleri hesaplandı.In this study; We have prepared Al/p-Si Schottky diodes in the (100) orientation, with the thickness of 280 B-doped obtained by thermal evaporating system. Current-voltage (I-V) characteristic of this diode were measured at different temperatures in the range of 296-380 K. Using these experimental data ideality factory, barrier height and series resistance parameters of this Schottky diode was calculated with different methods.trinfo:eu-repo/semantics/openAccessMetal-yarıiletken kontaklarSchottky diyotMetal-semiconductor contactsSchottky diodeMaster Thesis