Yüksel, Ö. FarukNurtan, Yavuz2016-08-112016-08-112010-10-22Nurtan, Y. (2010). Au/SiO2/N-Si MOS yapıların C-V-F ve G-V-F karakteristiklerinin incelenmesi. Selçuk Üniversitesi, Yayımlanmış yüksek lisans tezi, Konya.https://hdl.handle.net/20.500.12395/3215Bu çalışmada, Au/SiO2/n-Si (111) MOS (Metal ?Oksit-Yarıiletken) hazırlandı ve yapının bazı temel fiziksel özellikleri oda sıcaklığında ve geniş bir frekans aralığında yapılan kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik?voltaj (G-V) ölçümlerinden hesaplandı. Ölçümler 30 kHz-3 MHz frekans aralığı ve 9 farklı frekans değeri için -5 ile +5 Volt gerilim aralığında 0,01 Voltluk adımlarla alındı. Yapının parametrelerinden olan; seri direnç (Rs), ara yüzey durumları yoğunluğu (Nss) ve elektriksel iletkenlik (?ac) ile dielektrik sabiti (?^') ,dielektrik kaybı (?^'') , kayıp açısı (Ta), elektrik modüllerinin (M^'),(M^'') frekansa ve gerilime bağlı olarak değişimleri incelendiIn this study, Au/SiO2/n-Si (111) MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) devices has been prepared and some properties of the structure have been calculated from capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G-V) measurements which are performed at room temperature and at a wide frequency range. Measurements have been taken between -5 and +5 bias range with 0,01V step For 30kHz-3MHz freguency range and 9 freguency values. The variations of series resistance (Rs),interface states density (Nss) and electrical conductivity (?ac),dielectric constant (?),dielectric lose (??),lose angle (Tan),electric modules (M?),(M??) with freguency and bias have been investigattrinfo:eu-repo/semantics/openAccessMOS yapıElektrik ve dielektrik özelliklerAra yüzey durumlarıElektrik modülleriSeri dirençMOS structureElectric and dielectric propertiesInterface statesElectric modulesSeries resistanceMaster Thesis