Yazar "Çeli̇k, Gültekin" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 3 / 3
  • Küçük Resim
    Öğe
    Bilyeli Öğütme Süresinin Garnet Benzeri Li7La3Zr2O12 Li-iyon İletkeninin Sentezine Etkisi
    (Selçuk Üniversitesi Fen Fakültesi, 2018) Özkendi̇r, Osman Murat; Aktaş, Sevda; Atav, Ülfet; Ateş, Şule; Çeli̇k, Gültekin
    Bu çalışmada lityum karbonat (Li2CO3), lantan oksit (La2O3) ve zirkonyum oksit (ZrO2) maddelerine mekaniksel karışım ve ardından ısıl işlem uygulanarak Li7La3Zr2O12 Li-iyon iletkeni sentezlenmiştir. Sentez sırasında uygulanan farklı öğütme sürelerinin kristal yapıdaki faz oluşumlarına, morfolojik özelliklere ve parçacık boyutlarına etkisi X-ışını kırınımı deseni (XRD) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile incelenmiştir. Elde edilen yapıya ait XRD görüntüsünün MAUD yazılımı ile yapılan ayrıntılı kristal yapı analizi, ilk öğütme süresinin Li7La3Zr2O12 kristalinin yüksek iyonik iletken faz sentezinde etkili olduğunu gösterirken son öğütme süresinin ise kristalite boyutunda etkili olduğunu göstermiştir.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Karbon Benzeri Elementlerin Bazı Uyarılmış Seviyeleri İçin İyonlaşma Potansiyellerinin Teorik Olarak Hesaplanması
    (Selçuk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, 2006) Çeli̇k, Gültekin; Yıldız, Murat; Kılıç, Hamdi Şükür
    Bu çalışmada çekirdek yükü 6–10 arasındaki Karbon benzeri elementlerin bazı uyarılmış seviyeleri için iyonlaşma potansiyelleri teorik olarak hesaplanmıştır. Uyarılmış seviyelere ait iyonlaşma potansiyellerinin hesaplanmasında en zayıf bağlı elektron potansiyel model teori, iso-elektronik seri ve iso-spektrum seviye serileri kullanılmıştır. Bu çalışmada elde edilen iyonlaşma potansiyeli sonuçlarının deneysel sonuçlarla iyi uyumlu olduğu görülmüştür.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Lityum Atomunda Bazı Yüksek Uyarılmış Seviyelerin Bireysel Çizgileri Arasındaki Geçiş Olasılıklarının Hesaplanması
    (Selçuk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, 2006) Çeli̇k, Gültekin; Ateş, Şule; Kılıç, Hamdi Şükür
    Bu çalışmada, lityum atomunda bazı yüksek uyarılmış seviyelerin bireysel çizgileri arasındaki geçiş olasılıkları en zayıf bağlı elektron potansiyel model teorisi kullanılarak hesaplandı. Geçiş olasılıklarının hesaplanması için gerekli olan parametrelerin belirlenmesinde iyonlaşma enerjileri literatürdeki deneysel enerji verilerinden ve seviyelere ait yarıçapların beklenen değerleri Sayısal Coulomb Yaklaşımı (NCA) kullanılarak elde edildi. Bu çalışmada elde edilen geçiş olasılığı sonuçlarının kabul edilen değerlerle iyi uyumlu olduğu görüldü.