Yazar "Kepçeoğlu, Abdullah" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • Küçük Resim
    Öğe
    DIODE PROPERTY OF n-ZnO/p-Si HETEROJUNCTION STRUCTURE IN THE DARK AND ILLUMINATION CONDITION
    (Selçuk Üniversitesi, 2018) Toprak, Ahmet; Gündoğdu, Yasemin; Kılıç, Hamdi Şükür; Kepçeoğlu, Abdullah; Gezgin, Serap Yiğit
    In this study, Zinc Oxide (ZnO) thin film was deposited on the Silicon (Si) wafer by Pulsed Laser Deposition (PLD) to form n-ZnO/p-Si heterojunction. The morphological and the crystal structure of ZnO thin film was analysed and interpreted by Atomic Force Microscopy (AFM) and X-Ray Diffraction (XRD), respectively. The absorption spectrum was obtained by using the UV-Vis spectra and the band gap (Eg) was found by using Tauc Law. The current density-Voltage (J-V) plot was obtained at room temperature (RT) in the dark and under illumination. The barrier height (BH) and ideality factor were found about 0.46 eV and 1.35, respectively. The largest values of open circuit voltage (Voc) and short-circuit current (Jsc) were about 100 mV and 3×10-2 mA/cm2 ,respectively. It has been measured that ZnO/Si heterojunction diode behaves a solar cell like device under the illumination conditions.
  • Küçük Resim
    Öğe
    PULSLU LASER DEPOZİSYON (PLD) YÖNTEMİ İLE ÜRETİLEN FTO ve ZnO İNCE FİLMLERİN MORFOLOJİK VE OPTİK ÖZELLİKLERİ
    (Selçuk Üniversitesi, 2017) Gezgin, Bahri; Kepçeoğlu, Abdullah; Gündoğdu, Yasemin; Kılıç, Hamdi Şükür; Gezgin, Serap Yiğit
    Bu çalışmada, PLD tekniği ile oda sıcaklığında (RT) soda lime cam (SLG) alt tabaka üzerine büyütülen Flor (F) katkılı SnO2 (FTO) ve ZnO ince filmlerin üretiminde; laser enerjisinin, filmlerin optik ve morfolojik özellikleri üzerine etkileri incelenmiştir. Bununla birlikte, faklı O2 gaz basıncında ZnO ince filmleri büyütülmüş ve bir ZnO ince film 300 o C sıcaklıkta tavlanmıştır. İnce filmlerin, morfolojik yapısı Atomik Kuvvet Mikroskop (AFM) yöntemi, kristal yapısı ise X-ışını kırınımı (XRD) yöntemi ile analiz edilmiştir. FTO ve ZnO ince filmleri genel olarak gözenekli yapıdadır. PLD ile oda sıcaklığındaki SLG üzerine büyütülen FTO ve ZnO ince filmler polikristal yapıya sahiptirler. İnce filmler spektrumun görünür bölgesinde şeffaftırlar ve 3.75 eV (FTO), 3.50 eV (ZnO), 3.30 eV (tavlanmış ZnO) bant aralıklarına (Eg) sahiptirler. Çalışmada, laser enerjisi (FTO ve ZnO ince filmlerinin), O2 gaz basıncı ve tavlama sıcaklığı değerlerinin (sadece ZnO ince filminin) üretilen ince filmlerin morfolojik ve kristal yapıları ile optik özellikleri üzerine etkileri ayrıntılı olarak incelenmiş ve yorumlanmıştır.