Yazar "Mohamed, Mohamed Ali Basyooni" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 1 / 1
  • Küçük Resim
    Öğe
    Ultrathin 2D α-MoO3/Ir/Si schottky heterojunction devices: exploiting plasmonic hot carriers for self-powered UV photodetection with dual photoresponse behavior
    (Selçuk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, 2023) Mohamed, Mohamed Ali Basyooni; Ateş, Şule; Eker, Yasin Ramazan
    Ultra-ince nano-yapılı MoO3 yarı iletkenler, olağanüstü yanıtları nedeniyle şeffaf optoelektronik ve nanofotonik uygulamalarda büyük umut vaat eden malzemeler olarak ortaya çıkmışlardır. Bu çalışmada, atomik tabaka biriktirme (ALD) yöntemiyle elde edilen büyük ölçekli, kendiliğinden güç sağlayan 2D α-MoO3 fotodetektörleri araştırılmıştır. Bu fotodetektörler, 0V eğilim geriliminde hem pozitif hem de negatif fotoiletkenlik sergilemektedir. Özellikle, çeşitli konfigürasyonlar kullanılarak ultra-ince plazmonik Ir tabakasının entegrasyonuyla daha da geliştirilebilen ultra-ince 2D α-MoO3/n-Si konfigürasyonu, 365 nm UV aydınlatmasında 0V altında makul fotoakım göstermiştir. Ayrıca, ultra-ince İridyum (Ir) plazmonik tabakanın varlığında ultra-ince 2D α-MoO3'de indüklenen sıcak elektronların etkisi ve UV fotodetektörlerinin performansına olan etkisi incelenmiştir. MoO3/2 nm Ir/n-Si konfigürasyonu, 0V eğilim geriliminde 7×1010 harici kuantum verimliliği (HKV) ve 5.5×1010 Jones algılama yeteneği sağlamaktadır. Dahası, 600oC'de işlem gördükten sonra MoO3/2 nm Ir/MoO3/n-Si örneğinde dikkate değer bir iyileşme gözlemlenmektedir. Bu iyileşme, -16 µA fotodirençli bir akım, 8×1010 HKV ve 3×1011 Jones algılama yeteneği ile sonuçlanmaktadır. Özellikle, 0V eğilim geriliminde yanıt süresi yalnızca 0.1 s'dir ve bunu, 0.1 nm'lik çok düşük yüzey pürüzlülüğü desteklemektedir. Fotodetektörlerde gözlenen negatif fotoyanıt, MoO3 yüzeyindeki O2 desorpsiyonu ve oksijen boşluklarının oluşumuyla ilişkilendirilmektedir. Bu desorpsiyon süreci, MoO3'teki taşıyıcı yoğunluğunu artırırken, Coulomb tuzaklama ve azalmış delik hareketliliği nedeniyle Ir tabakadaki taşımayı azaltmaktadır. Sonuç olarak, hetero-yapının direnci artar ve akımda azalmaya neden olur. Bu bulgular, yüksek performanslı optoelektronik ve fotonik uygulamalar için ultra-ince MoO3 yarı iletkenlerinin potansiyelini göstermektedir.