Arşiv logosu
  • Türkçe
  • English
  • Giriş
    Yeni kullanıcı mısınız? Kayıt için tıklayın. Şifrenizi mi unuttunuz?
Arşiv logosu
  • Koleksiyonlar
  • DSpace İçeriği
  • Analiz
  • Talep/Soru
  • Türkçe
  • English
  • Giriş
    Yeni kullanıcı mısınız? Kayıt için tıklayın. Şifrenizi mi unuttunuz?
  1. Ana Sayfa
  2. Yazara Göre Listele

Yazar "Saka, Enver" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 1 / 1
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
  • Yükleniyor...
    Küçük Resim
    Öğe
    DNA arayüzeyli heteroeklem aygıt üretimi ve karakterizasyonu: Haplophyllum armenum uygulaması
    (Selçuk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, 2023) Saka, Enver; Yıldırım, Murat
    Biyoteknoloji ve nanoteknoloji, son yüzyılın en umut verici disiplinler arası bilimleri olarak bilim ve teknoloji dünyasında önemli bir yere sahiptir. 1953 yılında Watson ve Crick tarafından DNA molekülünün keşfedilmesiyle birlikte, bilim camiası DNA molekülüne büyük bir ilgi göstermeye başlamıştır. Bilim camiası son zamanlarda DNA tabanlı biyoelektronik cihazların araştırılmasına büyük ilgi duymaktadır. Organik bileşikler, kararlılık özellikleri nedeniyle elektronik devre elemanlarının yapımında yaygın olarak kullanılmaktadır. Organik yarı iletkenler ve iletkenler çok sayıda ilginç elektriksel, optik ve manyetik özelliğe sahiptir ve moleküler elektrik bileşenleri oluşturmak için kullanılabilir. DNA molekülünün bir yarı iletken olması onu biyofizik, nanobiyoteknoloji ve fizik gibi birçok bilim dalıyla yakından ilişkili kılmaktadır. Bu alandaki çalışma konularından biri de DNA tabanlı diyot yapılarıdır. Çalışma kapsamında Haplophyllum armenum türünden izole edilen DNA molekülü ile oluşturulacak DNA tabanlı Schottky diyotların üretilmesi ve Akım-Voltaj (I-V) parametrelerinin yorumlanması yöntemleri kullanıldı. Burada termiyonik emisyon, Norde ve Cheung yaklaşımlarını kullandık. Doygunluk akımı 3,32×10-5 A olarak hesaplanmıştır. İdealite faktörü değerleri termiyonik emisyon ve Cheung yöntemleri ile hesaplanmış ve sırasıyla 6.13 ve 6.14 olarak bulunmuştur. Bariyer yüksekliği değerleri termiyonik emisyon, Cheung ve Norde yöntemleriyle sırasıyla 0.560, 0.531 ve 0.570 eV olarak hesaplanmıştır. dV/(d(lnI))- I and H(I)- I grafikleri kullanılarak seri direnç değerleri sırasıyla 0,531 ve 0,487 k olarak bulunmuştur.

| Selçuk Üniversitesi | Kütüphane | Açık Erişim Politikası | Rehber | OAI-PMH |

Bu site Creative Commons Alıntı-Gayri Ticari-Türetilemez 4.0 Uluslararası Lisansı ile korunmaktadır.


Selçuk Üniversitesi Kütüphane ve Dokümantasyon Daire Başkanlığı, Konya, TÜRKİYE
İçerikte herhangi bir hata görürseniz lütfen bize bildirin

DSpace 7.6.1, Powered by İdeal DSpace

DSpace yazılımı telif hakkı © 2002-2025 LYRASIS

  • Çerez Ayarları
  • Gizlilik Politikası
  • Son Kullanıcı Sözleşmesi
  • Geri Bildirim