Yazar "Tuna, Ahmet" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 1 / 1
  • Küçük Resim
    Öğe
    PLD tekniği ile üretilen nano boyutlu Ag/p-CdTe/ (gözenekli) Si/Ag heteroeklem fotodetektörün yüksek hızda ve nır bölgesinde ışık algılaması
    (Selçuk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, 2025) Tuna, Ahmet; Kılıç, Hamdi Şükür
    Bu doktora tez çalışmasının amacı; Ag/CdTe/Si/Ag ve Ag/CdTe/(gözenekli)Si/Ag hetero-eklem yapılı bir foto-detektör üretmek ve bu üretimin ölçüm ve karakterizasyon aşamalarını gerçekleştirmektir. Bu sayede daha sınırlı bölgede daha fazla malzeme elde etmek suretiyle elektromanyetik dalga ve malzeme arasındaki etkileşimi arttırarak daha fazla tetiklenen elektron ortaya çıkarmaktır. Üretim aşamasında öncelikle cam üzerine ince film CdTe malzeme büyütülmüş (Ag/CdTe/(gözeneksiz)Cam/Ag), ardından gözeneksiz ve gözenekli olmak üzere, Si üzerine CdTe ince film büyütülerek hetero-eklem yapı elde edilmiştir. Gözenekli Si yüzeylerde gözenek formasyonu için kimyasal yüzey mikro işleme tekniklerinden faydalanılmış, HidroFlorik Asit (HF) ile yüzey delikleri başarıyla oluşturulmuştur. Tüm numunelerde ince film büyütme esnasında PLD tekniği uygulanmış ve bu PLD sisteminde, nanosaniye puls genişliğine sahip bir lazer yardımıyla CdTe hedef malzeme ablasyona uğratılmıştır. CdTe ince film kaplamanın ardından numuneler 500 oC'de 60 dakika süre boyunca tavlama işlemine tabi tutulmuştur ve poli-kristal yapı metal yüzeyde arttırılmıştır. Ölçüm ve karakterizasyon aşamalarında morfolojik, opto-elektronik ve kimyasal ölçüm metotlarına başvurulmuştur. İnce film CdTe kaplamalar üzerinde gerçekleştirilen AFM ölçümlerinde kalınlık arttıkça Miller indisinde büyüyen kristalografi oryantasyonları tespit edilmiştir. Morfolojik ölçümlerde ayrıca SEM görüntüsü de alınmış ve buradaki tanecik boyutları ile AFM görüntülerindeki tanecik boyutları arasındaki korelasyon ortaya konmuştur. Soğurma oranları ölçümlerinde ise kalınlık arttıkça soğurma oranında da artış gözlemlenmiştir ve bu sıralamanın özellikle NIR bölgede tam doğrusal bir davranış vermesi, hedeflenen sonuçlardan birisi idi. EDX kimyasal analizinde ise kalınlık arttıkça CdTe ince film kaplamada bulunan Cd geçiş metali pozitif, Te metaloidinin ise negatif korelasyonu tespit edilmiştir. Ag/CdTe/Si/Ag ve Ag/CdTe/(gözenekli)Si/Ag hetero-eklem foto-detektörlerinin gerilime bağlı akım grafiği (I – V karakteristik eğrisi) ve zamana bağlı akım grafiği (I – T analizlerinin) ardından gözeneksiz yapıdan gözenekli yapıya geçtikçe bir ışık sensörünün temel özelliklerindeki belirgin yükselişin altı özellikle çizilmiştir. Üretilmiş tüm numuneler arasında gözeneksiz ve gözenekli Si yüzeylerde olmak üzere sırasıyla, foto-detektör temel parametrelerinde; R (Detektör Tepkisi) 2.8×10-2'den 4.49×104'e (mA/W), D (Detektivite) 4.18×101'den 1.1×108'e (1×108 Jones), EQE (Dış Kuantum Verimliliği) 1.74×10-2'den 2.79×104'e (%) ve G (Foto-Akım Kazancı) ise 3.94×100'dan 10,95×100'a yükselme tespit edilmiştir. Bu doktora tezinde PLD tekniği kullanılarak üretimi gerçekleştirilmiş Ag/CdTe/ (gözenekli)Si/Ag hetero-eklem yapılı hızlı yanıtlı foto-detektörler mevcut literatürde özgünlük taşımaktadır. En öne çıkan özgün niteliği ise Si yüzey üzerine HF kullanılarak gözenek oluşturduktan sonra PLD tekniği ile CdTe ince film kaplanmasıdır. Bu yüzey-mikro-işleme kimyasal müdahalesi ile tüm üretimlerde görülmüştür ki bu teknik, üretilen foto-detektörlerde aynı kısıtlı alan içerisinde hassasiyeti arttırarak daha yüksek opto-elektrik çıktı ve daha kaliteli sensör özellikleri elde etmemizi sağlamaktadır.