Yazar "Durmuş, Haziret" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 11 / 11
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe Bilgisayar destekli bir sıcaklık kontrol ünitesinin tasarımı ve yapımı ile bazı alkali halojen tuzlarının ısısal uyarımlı depolarizasyon ölçümleri(Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 1998-09-11) Durmuş, Haziret; Karabıyık, HaldunIsısal Uyarımlı Depolarizasyon (TSD) adı altında yapılan bu çalışmada, ısısal uyarımlı süreçler hakkında genel bir bilgi verildikten sonra numunede depolarizasyona neden olan olaylar anlatılmıştır. Herhangi bir ısısal süreçle elde edilen verilerden numuneye ait fiziksel parametreleri tayin etme yöntemleri verilmiştir. Isıtma hızı kontrolünün büyük önem arzettiği ısısal uyarımlı süreçlerde, bu kontrol değişik şekillerde gerçekleştirilebilir. Yaygın şekilde kullanılan kontrol sistemi genellikle katı elektronik devre tasarımlarına dayanmaktadır. Ancak bu tip kontrol sistemleri, hem sistemin kendisi hem de verinin toplanması bakımından sınırlı bir esnekliğe sahiptir. Dolayısıyla bu çalışmada belirtilen konularda daha esneklik sağlayan bilgisayar destekli bir sistem tasarlanmış ve gerçekleştirilmiştir. Tasarlanan bu sistemin test edilmesi amacı ile Alkali Haloj enürlerden Sodyum Klorür (NaCl) ve Potasyum Klorür (KCI) toz kristal numuneler kullanılarak bunların TSD ölçümleri alınmıştır.Öğe Current-Voltage Analysis of a-Si: H Schottky Diodes(Elsevier Science Bv, 2006) Şahin, Mehmet; Durmuş, Haziret; Kaplan, RuhiDirect current (dc)-voltage (I-V) characteristics of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) Schottky diode have been measured at different temperatures under dark and light. From the fourth quadrant of illuminated characteristics, fill factor (FF) values were obtained for each temperature measured (173-297 K). We have found that FF increases very little as the temperature is decreased. The measured data from I-V characteristics has been analyzed in detail. In particular, from dark I-V characteristics obtained, the density of state (DOS) near the Fermi level was determined using a simple model based on the space-charge limited current (SCLC). On the other hand, from the illuminated I-V characteristics, the density of carriers was calculated for each temperature using the analysis of diode equation as known. A comparison of the carrier density and the measured photocurrent as a function of the reverse temperature was also made and a good correspondence was obtained.Öğe Identifying of series resistance and interface states on rhenium/n-GaAs structures using C-V-T and G/omega-V-T characteristics in frequency ranged 50 kHz to 5 MHz (November, 10.1007/S10854-019-02578-1, 2019)(SPRINGER, 2020) Çiçek, Osman; Durmuş, Haziret; Altındal, ŞemsettinThe original version of the article inadvertently published without the character omega "omega" in all the places. This has been corrected by publishing this erratum. The original article has been corrected.Öğe Isısal Uyarımlı Süreçler için Programlanabilir Bir Düşük Sıcaklık Kontrol Sisteminin Tasarımı ve Yapımı(Selçuk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, 2002) Durmuş, Haziret; Karabıyık, HaldunMalzeme parametrelerinin sıcaklıkla değişiminin incelendiği Isısal uyarımlı süreçlerde (ITC), ¡5=dT/dt ısıtma hızı kontrolü değişik şekillerde gerçekleştirilebilir. Isıtma hızlarının (Lineer, Parabolik, Hiperbolik ve Ters) şekli, sonuçların değerlenmesinde çeşitli kolaylıklar sağlamaktadır. Isıtma hızının kontrolünü sağlayan ilk devreler katı elektronik devre tasarımlarına dayanmaktayken zamanla bilgisayar sistemlerindeki gelişimine paralel olarak ısısal kontrol işlevi de bilgisayarlarla yapılmaya başlanmıştır.Bu çalışmada, ısıtma hızı kontrolünün bilgisayar ile sağlandığı ve sonuçların geniş analiz esnekliği İçerisinde değerlendirilebildiği bir sistem tasarlanarak gerçekleştirilmiştir. Sistemin kalibrasyonu yapıldıktan sonra Seydişehir Alüminyum tesislerinden alınan farklı ticari Alüminyum numuneler üzerinde özdirencin sıcaklıkla değişimi dört nokta yöntemi ile elde edilmiştir. Sonuçlar oldukça tatmin edici bulunmuştur.Öğe A mass spectrometric investigation of isomers of butane(WILEY, 2012) Alıç, Tuğbahan Yılmaz; Kılıç, Hamdi Şükür; Durmuş, Haziret; Doğan, Mevlüt; Ledingham, Ken W. D.RATIONALE: Butane is an important industrial chemical in which photo-processes are very important for the initiation of reactions. Recent advances in nanosecond pulsed laser technology have led to high laser intensities being available to researchers to enable these photo-processes to be studied in compounds such as butane. METHODS: The photo-decomposition, dissociation and combustion mechanisms in the neutral butane molecule have been studied in detail, by investigating the multiphoton (MP) dissociative ionisation of its n- and i-isomers, using a time-of-flight mass spectrometer connected to a high power nanosecond laser system. The laser used was a Nd:Yag with a 5 ns pulse width operated at the fundamental wavelength (1064 nm) and the doubled and tripled wavelengths (532 nm and 355 nm). The fragmentation patterns for the isomers were determined for the three wavelengths as a function of laser intensity. Similar laser intensities of between 10(10) and 10(13) W/cm(2) were used at the three wavelengths: 1064, 532 and 355 nm. RESULTS: The mass spectra of each isomer of the butane molecule display a very weak molecular ion and are dominated by fragment ion peaks. The degree of fragmentation increases as the laser intensity increases. CONCLUSIONS: Depending on the wavelength some significant differences in the mass spectra of the two isomers were detected and it has been concluded that the isomerisation of i-butane to n-butane is a process which is faster than the duration of the laser pulse used. Copyright (C) 2012 John Wiley & Sons, Ltd.Öğe Montmorillonit Türü Kil Minerallerinde Nemin ve Sıcaklığın Dielektrik Durulma Süreçlerine Etkisi(Selçuk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, 2008) Durmuş, Haziret; Küçükçelebi̇, Hayrettin; Güleç, Atilla; Deryal, Abdullah; Karakaya, Necati; Zengi̇n, SelçukBu araştırmada, nemin ve sıcaklığın dielektrik özelliklere etkisini incelemek amacıyla, mineral bileşeni bakımından farklı oranda montmorillonit içeren üç kil numunesi kullanılmıştır. Numunelerin ağırlıkça nem tutma kapasiteleri zamanın fonksiyonu olarak ölçülmüş ve artan montmorillonit miktarıyla bu kapasitelerin arttığı gözlenmiştir. Farklı nem durumları için 100Hz-13MHz frekans aralığında numunelerin dielektrik geçirgenliği incelenmiş ve kayıp tanjant grafiklerindeki maksimum kayba karşılık gelen frekansın artan nem ile yüksek frekanslara kaydığı tespit edilmiştir.Diğer taraftan aynı frekans bölgesinde ve 248K-323K sıcaklık aralığında numunelerin dielektrik davranışında etkili olan durulma süreçleri incelenmiş ve kayıp tanjant piklerinin artan sıcaklıkla yüksek frekanslara kaydığı belirlenmiştir. Farklı sıcaklık ve nem durumlarında, elde edilen deneysel dielektrik tepki değerlerine Maxwell-Wagner-Sillars (MWS) bağıntısının fit edilmesi ile her numuneye ait parametre seti hesaplanmıştır. Bulunan bu parametrelerden numunelerin S1, S2 ve S3 aktivasyon enerjileri sırası ile 32,67 kJ/mol, 42,93 kJ/mol ve 41,13 kJ/mol olarak bulunmuştur.Öğe NaCl ve KCl alkali halojen tuzlarının ısısal uyarımlı depolarizasyon akım eğrilerinden aktivasyon enerjilerinin tayini(Selçuk Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, 2000) Durmuş, Haziret; Karabıyık, HaldunBu çalışmada, NaCl ve KCl Alkali halojenür tuzlarının basınç altında oluşturulan polikristal pelet numunelerin Isısal Uyarımlı Depolarizasyon ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Isısal uyarılma ile numune uçlarında oluşan depolarizasyon akım eğrilerinden E aktivasyon enerjileri değişik araştırmacılar tarafından pik şekli yöntemi için verilen bağıntılar yardımıyla hesaplanmıştır. Bu E değerlerine bağlı olarak da frekans faktörü s belirlenmiştir. Bulunan bu E ve s değerleri, literatürde verilen değerleri ile karşılaştırıldığında görülen farkın, deneyde kullanılan numunelerin kristal yapılarının karşılaştırma yapılan numunelerin kristal yapılarından farklı olmasından kaynaklandığı sonucuna varılmıştır.Öğe Optical Properties of Modified Epoxy Resin with Various Oxime Derivatives in the UV-ViS Spectral Region(WILEY, 2011) Durmuş, Haziret; Şafak, Haluk; Akbaş, Hatice Zehra; Ahmetli, GülnareOptical absorbance measurements have been performed on the epoxy resin and the composites prepared by its modification with two different oxime derivatives (benzaldoxime and 2-furaldoxime) in the wavelength interval of 190-680 nm by unpolarized light. Using the experimental absorbance data, dielectric constant and refractive index dispersion have been determined by means of standard oscillator fit procedure. Moreover, based on the dispersion analysis, direct and indirect band gap energies of the samples have been calculated. It is found that direct band energy for epoxy is nearly 3.49 eV, while its value for the oxime derivatives has been increased up to the 4.15 eV. Another important result to be pointed out is that the absorbance for the 2-furaldoxime doped resin has been greatly increased in a respectively, narrow interval (similar to 30 nm wide) in the UV region, while in the case for the benzaldoxime doped sample, a decreasing has been observed in the absorbance at the same region. (C) 2010 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci 120: 1490-1495, 2011Öğe Silikon ve Germanyum’un Yasak Enerji Band Aralıklarının Düşük Sıcaklık Ölçümü ile Belirlenmesi(Selçuk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, 2007) Yıldırım, Murat; Durmuş, HaziretBu çalışmada yaygın olarak kullanılan yarıiletkenlerden olan silisyum ve germanyumun yasak enerji aralığı iki farklı yöntem kullanılarak tayin edilmiştir. Bunlar yasak enerji aralığı, yarıiletkenden geçen akımın sabit tutulması durumunda eklem voltajının sıcaklıkla değişimi ve farklı sıcaklıklar için çizilen l-V eğrilerinin incelenmesi yöntemleridir. Ölçümler 100K-340K sıcaklık aralığında yapılmıştır. Elde edilen sonuçların birbirleriyle ve literatürle uyumlu oldukları gözlenmiştir.Öğe Yarıiletken güneş pillerinde azınlık taşıyıcıların yarıömür tayin yöntemleri(Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 1991-09-12) Durmuş, Haziret; Karabıyık, HaldunBu çalışmada numune olarak, elektronik devrelerde ışığa duyarlı ele man olarak kullanılmak üzere hazırlanmış n*p eklemli Silisyum güneş pilleri kullanıldı. Yarıiletken güneş pillerinde azınlık taşıyıcı yarıömür tayin yöntemlerine değinildi ve bunlardan POVD yöntemi etraflı bir şekilde incelendi, deneysel ölçümlerde buna uygun olarak gerçekleştirildi. Değişik dalga boylarında elde edilen sabit şiddetli ışık pulsları, farklı üç numune üzerine gönderilerek, oluşan V^t) Açık devre gerilim bozunması osiloskopta gözlendi. Aynı zamanda bozunma eğrileri bir fotoğraf filmine kaydedildi. Bu eğrilerin eğimleri ampirik bir ifadede kullanılarak hesaplanan yarıömür değerleri çizelge halinde verildi. Elde edilen sonuçların Y. K. HESEEH ve arkadaşlarının öngördüğü değerlerle uyum içinde olduğu görüldü.Öğe Yeni bir puls laser depozisyon (PLD) sistemi tasarımı, üretimi ve uygulamaları(Selçuk Üniversitesi Teknik Bilimler Meslek Yüksekokulu, 2016) Kılıç, Hamdi Şükür; Durmuş, HaziretPuls laser depozisyon (PLD) tekniği, ince film ve çok tabakalı yapılar üretmek için oldukça basit ve çok yönlü-esnek bir sistemdir. PLD sistemi kullanılarak, malzeme yapay olarak ince bir tabaka haline getirilmektedir. İnce tabaka haline getirilen malzemenin özellikleri tabaka kalınlıklarına bağlı olarak değişmektedir. İnce film üretiminde, ablasyonla elde edilen demetin özellikleri, film yapısı ve mekanik özellikleri arasındaki ilişki oldukça önemlidir. PLD tekniği kullanılarak ince film üretiminde, ince film özelliklerinin laser güç yoğunluğu, dalgaboyu, numune ve alt tabaka sıcaklıkları ve sistem geometrisine oldukça bağlı olduğu çok iyi bilinmektedir. Oldukça üstün özlellikleri nedeniyle PLD tekniği ince film üretiminde oldukça yaygın bir şekilde kullanılmaktadır. PLD, özellikle erime ve buharlaşma noktası çok yüksek olan, ısıl yöntemlerle buharlaştırılması çok zor olan metalik malzemelerin buharlaştırılmasında etkin bir şekilde kullanılmaktadır. Bor, renyum, tantalyum, titanyum gibi erime ve buharlaşma noktaları çok yüksek olan malzemelerin bu metodla işlenmesi oldukça üstün özellikler ortaya koymaktadır. Bu çerçevede aşırı sert ince tabakaların üretimi oldukça önem kazanmaktadır. Bu nedenle bu tür malzemelerin PLD yöntemi ile işlenmesi, özellikle Puls Laser Ablasyon ve Depozisyon (PLAD) yöntemi ile ince film üretiminde oldukça başarılı sonuçlar vermektedir. Bu çalışmada, grubumuz tarafından üretilem PLD sisteminin detayları ile tanıtılmasının yanı sıra elde edilen bazı önemli sonuçları ortaya konacaktır.