Yazar "Erdoğan, Ayşenur" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • Küçük Resim
    Öğe
    Alaşım kompozisyonuna bağlı olarak nanokristal malzemelerin elektrokimyasal ve optiksel özellikleri
    (Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2013-07-16) Erdoğan, Ayşenur; Gübbük, İlkay Hilal
    Bu tez çalışmasında kuantum nanokristaller olarak bilinen ve tıbbi görüntüleme işlemleri, LED?ler, güneş panelleri, elektronik ve bilgisayar uygulamaları gibi birçok alandaki uygulamalarda kullanılan CdSeS tabanlı nanokristal yapıların farklı alaşım formlarının kolloidal sentezi yapılmıştır. CdSeS partikülleri düşük sıcaklıklarda çift faz metoduyla toluen-su ara yüzeyinde kontrollü olarak sentezlenmiş ve elde edilen nanokristallerin optik ve elektrokimyasal özellikleri araştırılmıştır. Alaşım kompozisyonuna bağlı olarak hem optik hem elektrokimyasal özelliklerinde ciddi değişimler gözlenmiştir. Se:S oranı arttıkça aynı süreli sentez için fluoresans spektrumunda maviye kayma gözlemlenmiş bunun yanında redoks potansiyellerinde artış olmuştur. Yapılan çalışmalar neticesinde alaşım nanokristallerin kullanılacağı alana göre farklı optik özelliklerinin kontrol edilebilirliği gösterilmiştir. Dolayısıyla istenen optik ve enerji seviyelerine sahip alaşım nanokristallerin çift faz yöntemi ile düşük sıcaklıkta sentezlenebileceği ve en uygun kristal yapının elde edilebileceği sonucuna varılmıştır.
  • Küçük Resim
    Öğe
    The synthesis of 4,4-(9,9-dioctyl-9H-fluorene-2,7-diyl)bis(N,N-diphenylaniline) organic semiconductor and use of it as an interlayer on Au/n-Si diode
    (SPRINGER, 2019) Yıldırım, Murat; Erdoğan, Ayşenur; Yüksel, Ömer Faruk; Kuş, Mahmut; Can, Mustafa; Akın, Ü.; Tuğluoğlu, Nihat
    In the present study, firstly, a 4,4-(9,9-dioctyl-9H-fluorene-2,7-diyl)bis(N,N-diphenylaniline) (FC) organic compound was synthesized and its structural and optical characterization were carried. Then, the effect on the device of the FC thin film prepared between n-type silicon substrate and gold metal by the spin coating technique was reported. The ideality factor (n), barrier height (phi B) and series resistance (Rs) values of the prepared structure from the I-V data have been found at 1.08, 0.78eV and 240 at room temperature (300K), respectively. According to the Gaussian distribution of the barrier height obtained from the various temperature ranges (220-380K), the phi b0 and A* values from the ordinate intercept and the slope of the modified Richardson curve of ln versus 1/T plot which has been found to be 0.97eV and 114 A/cm(2)K(2), respectively. Results indicate that the high barrier height is achieved for the Au/FC/n-Si metal-organic layer-semiconductor diode as compared to the Au/n-Si metal-semiconductor (MS) diode.