Arşiv logosu
  • Türkçe
  • English
  • Giriş
    Yeni kullanıcı mısınız? Kayıt için tıklayın. Şifrenizi mi unuttunuz?
Arşiv logosu
  • Koleksiyonlar
  • DSpace İçeriği
  • Analiz
  • Türkçe
  • English
  • Giriş
    Yeni kullanıcı mısınız? Kayıt için tıklayın. Şifrenizi mi unuttunuz?
  1. Ana Sayfa
  2. Yazara Göre Listele

Yazar "Gökçe, Yasin" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 1 / 1
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
  • Yükleniyor...
    Küçük Resim
    Öğe
    Si IX iyonu için geçiş olasılıkları, osilatör şiddetleri ve uyarılmış seviyelerin yaşam sürelerinin hesaplanması
    (Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2013-12-27) Gökçe, Yasin; Yıldız, Murat
    Bu tez çalışmasında astrofiziksel öneme sahip olan Si IX iyonu için geçiş olasılıkları, osilatör şiddetleri, uyarılmış seviyelerin hayat süreleri ve çarpışma şiddetleri hesaplanmıştır. İlk aşamada, Si IX iyonu için geçiş olasılıkları, osilatör şiddetleri ve uyarılmış seviyelerin yaşam süreleri hem 'En zayıf bağlı elektron potansiyel model teori (WBEPMT) ile hem de 'SuperStructure' (SS) metodu kullanılarak hesaplanmıştır. Elde edilen sonuçlar kendi aralarında ve daha önce yapılmış deneysel ve teorik çalışmalardan elde edilen sonuçlarla karşılaştırılmıştır. İkinci aşamada ise elektron iyon çarpışma süreçleri yine R-matrix metodu kullanılarak hesaplanmıştır. Bu çalışmadan elde edilen sonuçların literatürle uyum içinde olduğu görülmüştür.

| Selçuk Üniversitesi | Kütüphane | Açık Erişim Politikası | Rehber | OAI-PMH |

Bu site Creative Commons Alıntı-Gayri Ticari-Türetilemez 4.0 Uluslararası Lisansı ile korunmaktadır.


Selçuk Üniversitesi Kütüphane ve Dokümantasyon Daire Başkanlığı, Konya, TÜRKİYE
İçerikte herhangi bir hata görürseniz lütfen bize bildirin

DSpace 7.6.1, Powered by İdeal DSpace

DSpace yazılımı telif hakkı © 2002-2025 LYRASIS

  • Çerez Ayarları
  • Gizlilik Politikası
  • Son Kullanıcı Sözleşmesi
  • Geri Bildirim