Si IX iyonu için geçiş olasılıkları, osilatör şiddetleri ve uyarılmış seviyelerin yaşam sürelerinin hesaplanması
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2013-12-27
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu tez çalışmasında astrofiziksel öneme sahip olan Si IX iyonu için geçiş olasılıkları, osilatör şiddetleri, uyarılmış seviyelerin hayat süreleri ve çarpışma şiddetleri hesaplanmıştır. İlk aşamada, Si IX iyonu için geçiş olasılıkları, osilatör şiddetleri ve uyarılmış seviyelerin yaşam süreleri hem 'En zayıf bağlı elektron potansiyel model teori (WBEPMT) ile hem de 'SuperStructure' (SS) metodu kullanılarak hesaplanmıştır. Elde edilen sonuçlar kendi aralarında ve daha önce yapılmış deneysel ve teorik çalışmalardan elde edilen sonuçlarla karşılaştırılmıştır. İkinci aşamada ise elektron iyon çarpışma süreçleri yine R-matrix metodu kullanılarak hesaplanmıştır. Bu çalışmadan elde edilen sonuçların literatürle uyum içinde olduğu görülmüştür.
In this thesis, transition probabilities, oscillator strengths, lifetimes for excited levels and collision strengths have been calculated for astrophysically important Si IX ion. For the first stage, transition probabilities, oscillator strengths and lifetimes for excited levels for Si IX ion have been calculated using both Weakest bound electron potantial model theory (WBEPMT) and SuperStructure (SS) method. Obtained results have been compared with each other and obtained results from previously theoretical calculations and experimental results. For the second stage, electron-ion collision processes have been done using R-matrix method.The results obtained from this study have been seen in aggreament with literature.
In this thesis, transition probabilities, oscillator strengths, lifetimes for excited levels and collision strengths have been calculated for astrophysically important Si IX ion. For the first stage, transition probabilities, oscillator strengths and lifetimes for excited levels for Si IX ion have been calculated using both Weakest bound electron potantial model theory (WBEPMT) and SuperStructure (SS) method. Obtained results have been compared with each other and obtained results from previously theoretical calculations and experimental results. For the second stage, electron-ion collision processes have been done using R-matrix method.The results obtained from this study have been seen in aggreament with literature.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Çarpışma şiddeti, Collision strengths, En zayıf bağlı elektron potansiyel model teori, Electron-impact excitation, Geçiş olasılığı, Life time, Hayat süresi, Oscillator strength, Osilatör şiddeti, Rmatrix,, R-matrix metodu, Si IX ion, Si IX iyonu, SuperStructure method, SuperStructure metodu, Transition probability, Weakest bound electron potantial model theory
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Gökçe, Y. (2013). Si IX iyonu için geçiş olasılıkları, osilatör şiddetleri ve uyarılmış seviyelerin yaşam sürelerinin hesaplanması. Selçuk Üniversitesi, Yayımlanmış yüksek lisans tezi, Konya.