Si IX iyonu için geçiş olasılıkları, osilatör şiddetleri ve uyarılmış seviyelerin yaşam sürelerinin hesaplanması

dc.contributor.advisorYıldız, Murat
dc.contributor.authorGökçe, Yasin
dc.date.accessioned2017-07-28T06:14:39Z
dc.date.available2017-07-28T06:14:39Z
dc.date.issued2013-12-27
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu tez çalışmasında astrofiziksel öneme sahip olan Si IX iyonu için geçiş olasılıkları, osilatör şiddetleri, uyarılmış seviyelerin hayat süreleri ve çarpışma şiddetleri hesaplanmıştır. İlk aşamada, Si IX iyonu için geçiş olasılıkları, osilatör şiddetleri ve uyarılmış seviyelerin yaşam süreleri hem 'En zayıf bağlı elektron potansiyel model teori (WBEPMT) ile hem de 'SuperStructure' (SS) metodu kullanılarak hesaplanmıştır. Elde edilen sonuçlar kendi aralarında ve daha önce yapılmış deneysel ve teorik çalışmalardan elde edilen sonuçlarla karşılaştırılmıştır. İkinci aşamada ise elektron iyon çarpışma süreçleri yine R-matrix metodu kullanılarak hesaplanmıştır. Bu çalışmadan elde edilen sonuçların literatürle uyum içinde olduğu görülmüştür.en_US
dc.description.abstractIn this thesis, transition probabilities, oscillator strengths, lifetimes for excited levels and collision strengths have been calculated for astrophysically important Si IX ion. For the first stage, transition probabilities, oscillator strengths and lifetimes for excited levels for Si IX ion have been calculated using both Weakest bound electron potantial model theory (WBEPMT) and SuperStructure (SS) method. Obtained results have been compared with each other and obtained results from previously theoretical calculations and experimental results. For the second stage, electron-ion collision processes have been done using R-matrix method.The results obtained from this study have been seen in aggreament with literature.en_US
dc.identifier.citationGökçe, Y. (2013). Si IX iyonu için geçiş olasılıkları, osilatör şiddetleri ve uyarılmış seviyelerin yaşam sürelerinin hesaplanması. Selçuk Üniversitesi, Yayımlanmış yüksek lisans tezi, Konya.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12395/5318
dc.language.isotren_US
dc.publisherSelçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.selcuk20240510_oaigen_US
dc.subjectÇarpışma şiddetien_US
dc.subjectCollision strengthsen_US
dc.subjectEn zayıf bağlı elektron potansiyel model teorien_US
dc.subjectElectron-impact excitationen_US
dc.subjectGeçiş olasılığıen_US
dc.subjectLife timeen_US
dc.subjectHayat süresien_US
dc.subjectOscillator strengthen_US
dc.subjectOsilatör şiddetien_US
dc.subjectRmatrix,en_US
dc.subjectR-matrix metoduen_US
dc.subjectSi IX ionen_US
dc.subjectSi IX iyonuen_US
dc.subjectSuperStructure methoden_US
dc.subjectSuperStructure metoduen_US
dc.subjectTransition probabilityen_US
dc.subjectWeakest bound electron potantial model theoryen_US
dc.titleSi IX iyonu için geçiş olasılıkları, osilatör şiddetleri ve uyarılmış seviyelerin yaşam sürelerinin hesaplanmasıen_US
dc.title.alternativeCalculation of transition probabilities, oscillator strengths and lifetimes for excited levels of si IX ionen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Yükleniyor...
Küçük Resim
İsim:
Yasin Gökçe.pdf
Boyut:
1.79 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.51 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama: