Yazar "Gezgin, Bahri" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 4 / 4
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe Maksillofasiyal Travmalı Hastalarda Tedavi Seçenekleri ve Karşılaşılan Sorunlar(2006) Keleş, Bahar; Öztürk, Kayhan; Arbağ, Hamdi; Han Ülkü, Çağatay; Gezgin, BahriAMAÇ: Bu çalışmada maksillofasiyal travmalı hastalara yaklaşım, uygulanan tedavi şekli ve karşılaşılan sorunlar ele alındı. GEREÇ-YÖNTEM: 1992-2004 tarihleri arasında kliniğimize başvuran, klinik ve radyolojik olarak maksillofasiyal kemiklerden en az birinde kırık saptanan 602 hastanın (486 erkek; 116 kadın; ort. yaş 28,415,2; dağılım 1-80) dosyası incelendi. Hastaların travma etyolojileri, kırık lokalizasyonları, yaş ve cinsiyete göre dağılımları, tedavi öncesi geçen süre, uygulanan tedavi biçimi ve ameliyat sonrası komplikasyonlar değerlendirildi. BULGULAR: Hastaların; %42,7’sinde mandibula kırığı, %25,9’unda nazal kırık, %11’inde maksilla kırığı, %5,6’sında zigoma kırığı, %5,3’ünde multipl yüz kırıkları, %4,8’inde ‘blow-out’ kırığı ve %4,7’sinde frontal sinüs kırığı saptandı. Üç yüz kırkaltı (%57) olguya açık redüksiyon ve mini plakla fiksasyon, 256 (%43) olguya ise kapalı redüksiyon uygulandı. Ameliyat sonrası dönemde 51 (%8,3) hastada komplikasyon meydana geldi. SONUÇ: Bazı komplikasyonlara neden olmasına rağmen; güçlü bir fiksasyon sağlaması, kolay uygulanabilir olması, estetik ve kozmetik sonuçları iyi olması nedeniyle, maksillofasiyal travma tedavisinde açık redüksiyon ve mini plakla fiksasyon tercih edilebilir bir tedavi yöntemidir.Öğe N-ZnO/p-Si heteroeklem diyot yapılarının üretilmesi ve elektriksel karakteristiklerinin aydınlık ve karanlık ortamlar için zno ince film kalınlığına bağlı olarak belirlenmesi(Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2021) Gezgin, Bahri; Gündoğdu, YaseminBu yüksek lisans tez çalışmasında, Puls Laser Depozisyon tekniği kullanarak oda sıcaklığındaki soda lime cam ve p-Silicon wafer alt tabakalar üzerine laser puls sayısına bağlı olarak faklı kalınlıkta ZnO ince filmler üretilmiştir. Düşük sıcaklıkta alt tabaka üzerine büyütülen ZnO ince filmler polikristal yapıdadırlar. Laser pulse sayısı artarken ZnO ince filmlerin tanecik boyutu ve kalınlığı artmış ve band aralıkları azalmıştır. n-tipi ZnO ince filmler ile Ag/n-ZnO/p-Si/Au ve Ag/n-ZnO/p-Si/Al heteroeklem diyot yapıları üretilmiştir. Bu diyotların karanlık ve aydınlık ortamda J-V karakteristikleri elde edilmiştir. Karanlık ortam için, geleneksel J-V, Cheung-Cheung ve Norde metotları kullanarak diyotların ideality faktörleri, bariyer yükseklikleri, seri dirençleri hesaplanmış ve bu değerlerdeki yükseliş ve azalışlar birbirleri ile uyumlu bulunmuştur. En düşük kalınlıktaki ZnO ince film ile üretilmiş Ag/n-ZnO/p-Si/Au heteroeklem diyotun ideality faktörü, seri direnci ve bariyer yüksekliği diğer diyotlara kıyasla daha düşüktür. ZnO ince filmin kalınlığı artarken diyotların bu parametrelerinde düşüş kaydedilmiştir. Ek olarak, düşük kalınlıktaki ZnO ince film için, Ag/n-ZnO/p-Si/Al diyotun ideality faktörü düşük, seri direnci ve bariyer yüksekliği yüksek olup film kalınlığı arttırıldığında bu değerler ters orantılı değişiklik göstermiştir. Düşük kalınlıktaki ZnO ince filme dayalı heteroeklem diyotlar, aydınlık ortamda zayıf fotovoltaik özellik gösterirken, ZnO ince film kalınlığı artarken diyotların foto akımı ve güç dönüşüm verimi yükselmiştir. Ancak, ZnO/Si heteroeklem diyotların ışık altındaki fotovoltaik performansları kısmen zayıf olup, bu durum ZnO ve Si yarıiletkenler arasındaki kafes uyumsuzluğu, arayüzey durumları, kontak dirençleri, Si yarıiletken üzerinde biriken oksit tabaka gibi bazı faktörlere dayandırılmıştır. Sonuç olarak, bu tez çalışmasında ZnO/Si heteroeklem diyotları oluşturan ZnO ince filmlerin kristal, morfolojik ve optik özellikleri incelenmiş ve diyotların aydınlık ve karanlık ortamdaki elektriksel parametreler hesaplanmış ve birbirleri ile karşılaştırmalı olarak yorumlanmıştır.Öğe Pulslu Laser Depozisyon (PLD) yöntemi ile üretilen FTO ve ZnO ince filmlerin morfolojik ve optik özellikleri(Selçuk Üniversitesi Teknik Bilimler Meslek Yüksekokulu, 2017) Gezgin, Bahri; Gezgin, Serap Yiğit; Kepceoğlu, Abdullah; Gündoğdu, Yasemin; Kılıç, Hamdi ŞükürBu çalışmada, PLD tekniği ile oda sıcaklığında (RT) soda lime cam (SLG) alt tabaka üzerine büyütülen Flor (F) katkılı SnO2 (FTO) ve ZnO ince filmlerin üretiminde; laser enerjisinin, filmlerin optik ve morfolojik özellikleri üzerine etkileri incelenmiştir. Bununla birlikte, faklı O2 gaz basıncında ZnO ince filmleri büyütülmüş ve bir ZnO ince film 300 oC sıcaklıkta tavlanmıştır. İnce filmlerin, morfolojik yapısı Atomik Kuvvet Mikroskop (AFM) yöntemi, kristal yapısı ise X-ışını kırınımı (XRD) yöntemi ile analiz edilmiştir. FTO ve ZnO ince filmleri genel olarak gözenekli yapıdadır. PLD ile oda sıcaklığındaki SLG üzerine büyütülen FTO ve ZnO ince filmler polikristal yapıya sahiptirler. İnce filmler spektrumun görünür bölgesinde şeffaftırlar ve 3.75 eV (FTO), 3.50 eV (ZnO), 3.30 eV (tavlanmış ZnO) bant aralıklarına (Eg) sahiptirler. Çalışmada, laser enerjisi (FTO ve ZnO ince filmlerinin), O2 gaz basıncı ve tavlama sıcaklığı değerlerinin (sadece ZnO ince filminin) üretilen ince filmlerin morfolojik ve kristal yapıları ile optik özellikleri üzerine etkileri ayrıntılı olarak incelenmiş ve yorumlanmıştır.Öğe PULSLU LASER DEPOZİSYON (PLD) YÖNTEMİ İLE ÜRETİLEN FTO ve ZnO İNCE FİLMLERİN MORFOLOJİK VE OPTİK ÖZELLİKLERİ(Selçuk Üniversitesi, 2017) Gezgin, Bahri; Kepçeoğlu, Abdullah; Gündoğdu, Yasemin; Kılıç, Hamdi Şükür; Gezgin, Serap YiğitBu çalışmada, PLD tekniği ile oda sıcaklığında (RT) soda lime cam (SLG) alt tabaka üzerine büyütülen Flor (F) katkılı SnO2 (FTO) ve ZnO ince filmlerin üretiminde; laser enerjisinin, filmlerin optik ve morfolojik özellikleri üzerine etkileri incelenmiştir. Bununla birlikte, faklı O2 gaz basıncında ZnO ince filmleri büyütülmüş ve bir ZnO ince film 300 o C sıcaklıkta tavlanmıştır. İnce filmlerin, morfolojik yapısı Atomik Kuvvet Mikroskop (AFM) yöntemi, kristal yapısı ise X-ışını kırınımı (XRD) yöntemi ile analiz edilmiştir. FTO ve ZnO ince filmleri genel olarak gözenekli yapıdadır. PLD ile oda sıcaklığındaki SLG üzerine büyütülen FTO ve ZnO ince filmler polikristal yapıya sahiptirler. İnce filmler spektrumun görünür bölgesinde şeffaftırlar ve 3.75 eV (FTO), 3.50 eV (ZnO), 3.30 eV (tavlanmış ZnO) bant aralıklarına (Eg) sahiptirler. Çalışmada, laser enerjisi (FTO ve ZnO ince filmlerinin), O2 gaz basıncı ve tavlama sıcaklığı değerlerinin (sadece ZnO ince filminin) üretilen ince filmlerin morfolojik ve kristal yapıları ile optik özellikleri üzerine etkileri ayrıntılı olarak incelenmiş ve yorumlanmıştır.