Pulslu Laser Depozisyon (PLD) yöntemi ile üretilen FTO ve ZnO ince filmlerin morfolojik ve optik özellikleri
Yükleniyor...
Tarih
2017
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Selçuk Üniversitesi Teknik Bilimler Meslek Yüksekokulu
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada, PLD tekniği ile oda sıcaklığında (RT) soda lime cam (SLG) alt tabaka üzerine büyütülen Flor (F) katkılı SnO2 (FTO) ve ZnO ince filmlerin üretiminde; laser enerjisinin, filmlerin optik ve morfolojik özellikleri üzerine etkileri incelenmiştir. Bununla birlikte, faklı O2 gaz basıncında ZnO ince filmleri büyütülmüş ve bir ZnO ince film 300 oC sıcaklıkta tavlanmıştır. İnce filmlerin, morfolojik yapısı Atomik Kuvvet Mikroskop (AFM) yöntemi, kristal yapısı ise X-ışını kırınımı (XRD) yöntemi ile analiz edilmiştir. FTO ve ZnO ince filmleri genel olarak gözenekli yapıdadır. PLD ile oda sıcaklığındaki SLG üzerine büyütülen FTO ve ZnO ince filmler polikristal yapıya sahiptirler. İnce filmler spektrumun görünür bölgesinde şeffaftırlar ve 3.75 eV (FTO), 3.50 eV (ZnO), 3.30 eV (tavlanmış ZnO) bant aralıklarına (Eg) sahiptirler. Çalışmada, laser enerjisi (FTO ve ZnO ince filmlerinin), O2 gaz basıncı ve tavlama sıcaklığı değerlerinin (sadece ZnO ince filminin) üretilen ince filmlerin morfolojik ve kristal yapıları ile optik özellikleri üzerine etkileri ayrıntılı olarak incelenmiş ve yorumlanmıştır.
In this study, in the production of Fluorine (F) doped SnO2 (FTO) and ZnO thin films grown on soda lime glass (SLG) substrate by PLD technique at room temperature (RT); the effects of laser energy on optical and morphological properties of films have been investigated. However, ZnO thin films were grown in a different O2 gas pressure and a ZnO thin film was annealed at 300 oC. The morphological structure of thin films was analysed by Atomic Force Microscopy (AFM) method and the crystal structure by X-ray diffraction (XRD) method. FTO and ZnO thin films are generally porous. FTO and ZnO thin films grown on PLD at room temperature on SLG substrate have polycrystalline structure. Thin films are transparent in the visible region of the spectrum and have the band gaps (Eg) of 3,75 eV (FTO), 3.50 eV (ZnO), 3.30 eV (annealed ZnO). In the study, the effects of laser energy (FTO and ZnO thin films), O2 gas pressures and annealing temperature values (only ZnO thin film) on the morphological, crystal structures and optical properties of thin films were examined and interpreted in detail.
In this study, in the production of Fluorine (F) doped SnO2 (FTO) and ZnO thin films grown on soda lime glass (SLG) substrate by PLD technique at room temperature (RT); the effects of laser energy on optical and morphological properties of films have been investigated. However, ZnO thin films were grown in a different O2 gas pressure and a ZnO thin film was annealed at 300 oC. The morphological structure of thin films was analysed by Atomic Force Microscopy (AFM) method and the crystal structure by X-ray diffraction (XRD) method. FTO and ZnO thin films are generally porous. FTO and ZnO thin films grown on PLD at room temperature on SLG substrate have polycrystalline structure. Thin films are transparent in the visible region of the spectrum and have the band gaps (Eg) of 3,75 eV (FTO), 3.50 eV (ZnO), 3.30 eV (annealed ZnO). In the study, the effects of laser energy (FTO and ZnO thin films), O2 gas pressures and annealing temperature values (only ZnO thin film) on the morphological, crystal structures and optical properties of thin films were examined and interpreted in detail.
Açıklama
URL: http://sutod.selcuk.edu.tr/sutod/article/view/402
Anahtar Kelimeler
Pulslu laser depozisyon, Bant aralığı, İnce film, Polikristal, Pulsed laser deposition, Band gap, Thin film, Polycrystalline
Kaynak
Selçuk-Teknik Dergisi
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
16
Sayı
Künye
Gezgin, B., Gezgin, S. Y., Kepceoğlu, A., Gündoğdu, Y., Kılıç, H. Ş. (2017). Pulslu Laser Depozisyon (PLD) yöntemi ile üretilen FTO ve ZnO ince filmlerin morfolojik ve optik özellikleri. Selçuk-Teknik Dergisi, 16, (3), 161-183.
