Yazar "Houimi, Amina" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 2 / 2
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe I-V Characteristics Calculation Using SCAPS-1D Program(Selçuk Üniversitesi, 2021) Gezgin, Serap Yiğit; Gündoğdu, Yasemin; Kılıç, Hamdi Şükür; Houimi, AminaBu çalışmada, güneş pili modellemesi için en yaygın kullanılan simülasyon yazılımlarından birini sunuyoruz. SCAPS-1D programının kullanımı bu çalışmada adım adım anlatılmıştır. İlk adımda, heteroeklem güneş pillerini sunduk ve fotovoltaik etkiyi açıkladık. SCAPS programının işleyişini açıklamak için, bu programın kısa bir tarihçesiyle başladık ve ardından farklı özelliklerinin genel bir tanımıyla devam ettik. Bu programı çalıştırmak ve bir güneş pilinin I-V özelliklerini elde etmek için gereken tüm bu adımları önceden tanımlanmış bir örnek aracılığıyla netleştirdik. Sonunda, CdS/CIGS heteroeklemli güneş pili üzerindeki Voc ve Jsc üzerindeki optik bant aralığı değişiminin örnek bir çalışmasını yaptık.Öğe Production of Alkali Atoms Doped Cu2SnS3 Nanoparticles Thin Films Based Solar Cells Using Pulsed Laser Deposition System(Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2022) Houimi, Amina; Şükür Kılıç, Hamdiİnce film tabanlı güneş pilleri için yüksek performanslı, düşük maliyetli ve toksik olmayan elementlere sahip, soğurgan tabakaların geliştirilmesi günümüzde modern çalışmaların ana odak noktası durumundadır. Bu tez çalışmasında, Pulsed Lazer Depozisyon (PLD) tekniği kullanılarak farklı katkılı atomlar ve konsantrasyonları ile Cu2SnS3 (CTS) sputter targetler üretilmiştir. Biriktirmede kullanılan hedef, saf toz yapıdaki bakır, kalay ve kükürt numuneler kullanılarak Ball Milling yönteminde öğütülerek karıştırılmış ve devamında. Ortaya çıkan toz karışım preslenerek küçük hedef yapılar üretilmiştir. CTS hedeflerin yapısı üzerinde sıcaklık etkisi incelenmiş ve bu analiz çalışmaları için üretilen hedef yapılar farklı sıcaklıklarda tavlanarak karakterize edilmiştir. 600°C tavlama sıcaklığının CTS hedef yapıları için en uygun sıcaklık olduğu tespit edilmiştir. CTS ince filmlerinin biriktirme işlemi, farklı biriktirme süreleriyle oda sıcaklığında PLD sistemi kullanılarak gerçekleştirilmiş ve ardından filmler, 400°C ile 600°C arasında değişen sıcaklıklarda sülfürizasyon işlemine tabi tutulmuştur. CTS ince filmlerin çeşitli morfolojik, optik, kristal özellikleri ve kompozisyonu üzerinde sülfürizasyon sıcaklığının ve kalınlığının etkileri üzerinde derinlemesine araştırma yapılmıştır. Sülfürizasyon sıcaklığının genel etkisi, üçlü Cu-Sn-S fazları ile amorf yapıdan polikristal yapıya CTS kristal yapısının iyileştirilmesi ve S atomu katılımının artması gerçekleşmiştir. Ancak sıcaklığın yüksek olması, CTS ince filmlerin yapısında ikincil fazların oluşmasına neden olarak olumsuz etki yapmıştır. Biriktirme süresinin yükselmesi, ince filmlerin farklı özelliklerini etkileyen kalınlığı arttırmıştır. CTS ince filmlerinin farklı alkali (Li, Na) atomlar ile katkılanması, farklı özellikler ortaya koymuştur. Burada katkılama işlemi sadece kristal özelliğini, kompozisyonunu ve morfolojisini değil, aynı zamanda CTS ince filmlerinin kalınlığını da etkilediği görülmüştür. Na katkısı kristalleşme özelliğini arttırırken, Li elementinin katkılanması CTS ince filmlerin biriktirme oranını azaltıcı bir etkiye sahip olduğu tespit edilmiştir. n-Si wafer üzerinde büyütülen CTS ince filmleri, bir PN heteroeklem yapısı oluşturmuş ve bu yapının karanlık ve aydınlatmadaki özellikleri detaylı olarak incelenmiştir. Al/n-Si/CTS/Ag yapısı ile Na ve Li atomlarının farklı doping konsantrasyonlarına sahip olacak şekilde hazırlanan güneş pilleri, Na ve Li elementlerinin ince filmlerin farklı özellikleri üzerindeki etkisinden dolayı performansında gelişme göstermiştir. Na ve Li atomlarının farklı konsantrasyon oranlarına sahip güneş pillerinin tüm farklı parametreleri incelenmiştir.