Yazar "Nurtan, Yavuz" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 1 / 1
  • Küçük Resim
    Öğe
    Au/SiO2/N-Si MOS yapıların C-V-F ve G-V-F karakteristiklerinin incelenmesi
    (Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2010-10-22) Nurtan, Yavuz; Yüksel, Ö. Faruk
    Bu çalışmada, Au/SiO2/n-Si (111) MOS (Metal ?Oksit-Yarıiletken) hazırlandı ve yapının bazı temel fiziksel özellikleri oda sıcaklığında ve geniş bir frekans aralığında yapılan kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik?voltaj (G-V) ölçümlerinden hesaplandı. Ölçümler 30 kHz-3 MHz frekans aralığı ve 9 farklı frekans değeri için -5 ile +5 Volt gerilim aralığında 0,01 Voltluk adımlarla alındı. Yapının parametrelerinden olan; seri direnç (Rs), ara yüzey durumları yoğunluğu (Nss) ve elektriksel iletkenlik (?ac) ile dielektrik sabiti (?^') ,dielektrik kaybı (?^'') , kayıp açısı (Ta), elektrik modüllerinin (M^'),(M^'') frekansa ve gerilime bağlı olarak değişimleri incelendi