Au/SiO2/N-Si MOS yapıların C-V-F ve G-V-F karakteristiklerinin incelenmesi
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2010-10-22
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada, Au/SiO2/n-Si (111) MOS (Metal ?Oksit-Yarıiletken) hazırlandı ve yapının bazı temel fiziksel özellikleri oda sıcaklığında ve geniş bir frekans aralığında yapılan kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik?voltaj (G-V) ölçümlerinden hesaplandı. Ölçümler 30 kHz-3 MHz frekans aralığı ve 9 farklı frekans değeri için -5 ile +5 Volt gerilim aralığında 0,01 Voltluk adımlarla alındı. Yapının parametrelerinden olan; seri direnç (Rs), ara yüzey durumları yoğunluğu (Nss) ve elektriksel iletkenlik (?ac) ile dielektrik sabiti (?^') ,dielektrik kaybı (?^'') , kayıp açısı (Ta), elektrik modüllerinin (M^'),(M^'') frekansa ve gerilime bağlı olarak değişimleri incelendi
In this study, Au/SiO2/n-Si (111) MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) devices has been prepared and some properties of the structure have been calculated from capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G-V) measurements which are performed at room temperature and at a wide frequency range. Measurements have been taken between -5 and +5 bias range with 0,01V step For 30kHz-3MHz freguency range and 9 freguency values. The variations of series resistance (Rs),interface states density (Nss) and electrical conductivity (?ac),dielectric constant (?),dielectric lose (??),lose angle (Tan),electric modules (M?),(M??) with freguency and bias have been investigat
In this study, Au/SiO2/n-Si (111) MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) devices has been prepared and some properties of the structure have been calculated from capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G-V) measurements which are performed at room temperature and at a wide frequency range. Measurements have been taken between -5 and +5 bias range with 0,01V step For 30kHz-3MHz freguency range and 9 freguency values. The variations of series resistance (Rs),interface states density (Nss) and electrical conductivity (?ac),dielectric constant (?),dielectric lose (??),lose angle (Tan),electric modules (M?),(M??) with freguency and bias have been investigat
Açıklama
Anahtar Kelimeler
MOS yapı, Elektrik ve dielektrik özellikler, Ara yüzey durumları, Elektrik modülleri, Seri direnç, MOS structure, Electric and dielectric properties, Interface states, Electric modules, Series resistance
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Nurtan, Y. (2010). Au/SiO2/N-Si MOS yapıların C-V-F ve G-V-F karakteristiklerinin incelenmesi. Selçuk Üniversitesi, Yayımlanmış yüksek lisans tezi, Konya.
