Yazar "Yüksel, Ömer Faruk" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 8 / 8
  • Küçük Resim
    Öğe
    Analysis of I-V Measurements on Ag/p-SnS and Ag/p-SnSe Schottky Barriers
    (Pergamon-Elsevier Science Ltd, 2002) Şafak, Haluk; Şahin, Mehmet; Yüksel, Ömer Faruk
    In this study, we have performed current-voltage (I-V) measurements on single crystals p-SnS and p-SnSe at different temperatures in the vicinity of room temperature. These compound semiconductors belong to IV-VI layered material class. Hence, they show strong anisotropy for all properties. We realized all measurements on the easy cleavage plane perpendicular c-axis. From I-V characteristics, we have tried to determine some intrinsic and contact properties such as barrier heights, diode ideality factors and carrier concentrations. It has been found that both contacts are in Schottky type, while Ag/p-SnSe structures has showed better diode behavior.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Bazı Tek ve Çift Eksenli Nonlineer Kristallerin Optik Özellikleri
    (Selçuk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, 2007) Karabulut, İbrahim; Şafak, Haluk; Yüksel, Ömer Faruk
    Bu çalışmada, Optiksel Parametrik Salinim (OPO) sistemlerinde kullanılan bazı tek ve çift eksenli kristallerin temel fiziksel ve optik özellikleri incelenmiştir. Yüksek dönüşüm kazancına sahip koherent isik elde etmek için gereken koşullar tartışılmiştir. Ayrıca, faz uyum koşullarinin kristallerin çeşitli parametreleriyle değişimleri incelenmiştir. Numerik hesaplamalar KDP ve KTP kristalleri için gerçekleştirilmiştir.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Dispersion Analysis of SnS and SnSe
    (2002) Şafak, Haluk; Merdan, Mustafa; Yüksel, Ömer Faruk
    The reflectance spectra of single crystals of SnS and SnSe were measured at normal incidence by unpolarized light. The refractive indices of speciemens were calculated by Kramers-Kronig Analysis. On the basis of the Wemple diDomenico single oscillator model, the dispersion parameters were determined. It is found that the parameters obtained by unpolarized light are, in general close to those reported for polarized cases. Morever, a close similarity were observed with E//b polarization for SnS.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Etik İklim Algısının İş Görenlerin İş Tatmini Düzeyleri ve Örgütsel Bağlılık Düzeyleri Üzerine Etkisi: Arçelik A.Ş. Adana ve Elazığ Bölge Yöneticiliklerinde Uygulama
    (Selçuk Üniversitesi, 2019) Yüksel, Ömer Faruk; Düşükcan, Muhammet
    Günümüzde rekabet koşulları giderek artmaktadır. Bu rekabet koşullarında işletmelerin varlıklarını sürdürebilmeleri zamana ayak uydurabilmelerine bağlıdır. İşletmeler açısından insan faktörü en önemli kaynaklardandır. İnsan kaynaklarından en verimli şekilde yararlanabilmesi için örgütte etik iklimin olması ve bu sayede çalışanların iş tatmininin sağlanması ve örgüte bağlılıklarının arttırılması gerekmektedir. İş görenlerin iş tatminin artması ve örgütsel bağlılık düzeylerinin yüksek olması onların verimliliğini ve performanslarını arttıracaktır. Araştırmanın amacı etik iklim algısının iş görenler üzerinde ki etkilerini iş tatmini ve örgütsel bağlılık anlamında incelemektir. İş görenlerin etik kavramı farkındalığını ölçmek aynı zamanda etik kavramının onların üzerinde ki olumlu ya da olumsuz nasıl bir etki yarattığını belirlemektir. Örgütler açısından etik iklim farkındalığının oluşması ve örgüt içerisinde iş görenleri nasıl etkilediğinin anlaşılması ve bunun neticesinde örgütün ve yönetimin iş görenler için politikalar gerçekleştirmesi amaçlanmaktadır. Araştırmada veri toplama aracı olarak anket yönteminden yararlanılmıştır. Ankette demografik özellikler, etik iklim, iş tatmini ve örgütsel bağlılığı ölçmeye yönelik toplam 31 soru yer almaktadır. Elde edilen verilere, SPSS 22 paket programı aracılığıyla frekans dağılımı ve Korelasyon testi uygulanmıştır. Sonuç olarak, etik iklim algısı ile iş tatmini arasında pozitif yönlü bir ilişki (r=0,003) olduğu tespit edilmiştir. Etik iklim algısı ve örgütsel bağlılık kavramı arasında pozitif yönlü ilişki (r=0,00) olduğu tespit edilmiştir.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Frequency and voltage dependence of electrical modulus and dielectric studies of spin coated perylene-diimide (PDI) organic semiconductor films
    (SPRINGER, 2018) Akın, Ümmühan; Yüksel, Ömer Faruk
    Perylene-diimide (PDI) organic semiconductor was prepared on n-type Si wafer using spin coating method. The dielectric permittivity, conductivity and electric modulus properties of PDI structure were characterized by means of the capacitance-voltage and the conductance-voltage measurements at the voltage range from 0 V to 300 mV and the frequency range from 30 kHz to 1 MHz. It is observed that the dielectric dispersion is uniformly decreased with the frequency, and then approach nearly to a fixed value at higher frequencies. However, the imaginary (MaEuro(3)) part of electric modulus has a peak for all the applied voltage values and the peak shifts to the higher frequencies with decreasing voltage. The peak observed in the figure is attributed to the dielectric relaxation. Furthermore, it has been reported that the Cole-Cole curves has one relaxation.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Optical Constants of Thin Film Prepared by the Cd(OH)(2) Nanowires Synthesized Using the Arc Discharge Method
    (AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS, 2014) Akın, Ümmühan; Şafak, H.; Eskizeybek, Volkan; Avcı, Ahmet; Yüksel, Ömer Faruk
    The optical constants of thin film prepared by cadmium hydroxide nanoparticles spray coated on the glass substrate held about at 100 degrees C temperature have been investigated using the optical transmission and reflection spectra. The transmission spectrum exhibits that the film has a high transparency (similar to 80%) at the infrared region. From standard optical analysis, direct band gap energy of Cd(OH)(2) was found as 3.13 eV, and also, it was seen that the calculated refractive index varies between 1.65 and 2.15 throughout the spectral region considered. The dispersion parameters such as oscillator energy, dispersion energy, and static and high frequency refractive index were determined in regard to the Wemple DiDomenico single oscillator model. Finally, some dielectric parameters of material such as relaxation time, dissipation (loss) factor, volume and surface energy loss functions and optical conductivity were calculated.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Some optical properties of melanin thick film
    (ELSEVIER, 2019) Akın, Ü.; Çelik, İlhami; Avcı, Çağrı; Tuğluoğlu, Nihat; Yüksel, Ömer Faruk
    The melanin obtained from brown-black sheep wool was prepared in the form of thick film by using drop casting method on the soda-lime glass substrate. The optical properties of the melanin thick film have been investigated by means of the optical measurements. It was observed that the thick film showed high transmittance value nearly up to 84 % in the IR spectral region and it showed very high absorbance in both UV and visible regions. From standard optical analysis, it was observed that melanin thick film had the properties of the semiconductors with indirect band gap, and the band gap energy value was found as 1.24 eV. Also, it was seen that calculated refractive index of the melanin thick film varies between 1.37 and 1.63 throughout the spectral region considered. (C) 2019 Elsevier Ltd. All rights reserved.
  • Küçük Resim
    Öğe
    The synthesis of 4,4-(9,9-dioctyl-9H-fluorene-2,7-diyl)bis(N,N-diphenylaniline) organic semiconductor and use of it as an interlayer on Au/n-Si diode
    (SPRINGER, 2019) Yıldırım, Murat; Erdoğan, Ayşenur; Yüksel, Ömer Faruk; Kuş, Mahmut; Can, Mustafa; Akın, Ü.; Tuğluoğlu, Nihat
    In the present study, firstly, a 4,4-(9,9-dioctyl-9H-fluorene-2,7-diyl)bis(N,N-diphenylaniline) (FC) organic compound was synthesized and its structural and optical characterization were carried. Then, the effect on the device of the FC thin film prepared between n-type silicon substrate and gold metal by the spin coating technique was reported. The ideality factor (n), barrier height (phi B) and series resistance (Rs) values of the prepared structure from the I-V data have been found at 1.08, 0.78eV and 240 at room temperature (300K), respectively. According to the Gaussian distribution of the barrier height obtained from the various temperature ranges (220-380K), the phi b0 and A* values from the ordinate intercept and the slope of the modified Richardson curve of ln versus 1/T plot which has been found to be 0.97eV and 114 A/cm(2)K(2), respectively. Results indicate that the high barrier height is achieved for the Au/FC/n-Si metal-organic layer-semiconductor diode as compared to the Au/n-Si metal-semiconductor (MS) diode.