Organik yarı iletken kullanılarak üretilen Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin belirlenmesi
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2014-10-16
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada, Al/perylene-diimide/ITO Schottky diyot üretilmiştir. Üretim aşamasında, ITO/cam alttaşın yüzeyi damlatma yayma yöntemi ile perylene-diimide (PDI) ile kaplanmış, daha sonra Aluminyum(Al) Schottky kontaklar organik malzeme üzerinde yaklaşık 5x10-6 Torr basınç altında 150 nm kalınlığında termal olarak buharlaştırlmıştır. Deneysel değerler elde edilmiş ve diyotun akım(I)-voltaj(V) grafiği çizilmiştir. I-V grafiğinin asimetrik doğası açık bir şekilde Schottky bariyer tipi davranışa sahip olduğunu gösterir. Bununla birlikte Alüminyum PDI ile doğrultucu kontak oluşturmuştur. Yapının elektriksel özellikleri üzerine detaylı analiz, termiyonik emisyon teorisi kabulu ile gerçekleşmiştir. I-V karakteristikleri kullanılarak, idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (Φb), ve diğer diyot parametreleri hesaplanmıştır. Bu amaçla,öncelikle klasik yöntem(ln(I)- V grafiği analizi) kullanılmıştır. Daha sonra, hesaplamalarda Cheung-Cheung metodu kullanılmıştır. Sonuçlar klasik yöntemle elde edilen sonuçlarla uyumludur. n idealite değeri birden çok büyüktür (n>>1). Hesaplanan n değrinin bir değerinden sapması oluşma-yeniden birleşme, arayüzey durumları gibi mümkün mekanizmaları gösterir.
In this work, we have fabricated an Al/perylene-diimide/ITO Schottky barrier diode. In sample fabrication stage, the surface of ITO/glass substrate has been coated with perylene-diimide by drop casting method and then the Aluminium ( Al ) Shottky contacts have been thermally evaporated on the on the organic material with a thickness of 150 nm in a pressure of approximately 5x10-6 Torr. Experimental values are obtained and the Current(I)-Voltage (V) graph of the diode is drawn. The asymmetric nature of the I-V curve clearly indicates a Schottky barrier type behavior. Moreover Al forms rectifying contacts with PDI. Detail analysis on electronic properties of the structure is performed by assuming the standard thermionic emission model(TEM). By using I-V characteristics, the idealite factor (n), barrier height (Φb), and some other diode parameters have been calculated. For this purpose,first, conventional method (i.e lnI-V) graph anaysis) is used. Then , Cheung-Cheung method is employed to perform the calculation. The values are good agreement with ones which are obtained from convensional method. The ideality factor n is calculated as much bigger than unity n>>1. Deviations of calculated n value from the unity shows possible mechanisms as generation-recombination processes and the interface states.
In this work, we have fabricated an Al/perylene-diimide/ITO Schottky barrier diode. In sample fabrication stage, the surface of ITO/glass substrate has been coated with perylene-diimide by drop casting method and then the Aluminium ( Al ) Shottky contacts have been thermally evaporated on the on the organic material with a thickness of 150 nm in a pressure of approximately 5x10-6 Torr. Experimental values are obtained and the Current(I)-Voltage (V) graph of the diode is drawn. The asymmetric nature of the I-V curve clearly indicates a Schottky barrier type behavior. Moreover Al forms rectifying contacts with PDI. Detail analysis on electronic properties of the structure is performed by assuming the standard thermionic emission model(TEM). By using I-V characteristics, the idealite factor (n), barrier height (Φb), and some other diode parameters have been calculated. For this purpose,first, conventional method (i.e lnI-V) graph anaysis) is used. Then , Cheung-Cheung method is employed to perform the calculation. The values are good agreement with ones which are obtained from convensional method. The ideality factor n is calculated as much bigger than unity n>>1. Deviations of calculated n value from the unity shows possible mechanisms as generation-recombination processes and the interface states.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Organik yarıiletkenler, Perilen, Schottky diyot, Termiyonik emisyon teorisi, Organic semiconductor, Perylene, Schottky diodes, Termionic emission theory
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Ülküer, F. (2014). Organik yarı iletken kullanılarak üretilen Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin belirlenmesi. Selçuk Üniversitesi, Yayımlanmış yüksek lisans tezi, Konya.
