Diode property of n-ZnO/p-Si heterojunction structure in the dark and illumination condition

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorGezgin, Serap Yiğit
dc.contributor.authorKepceoğlu, Abdullah
dc.contributor.authorToprak, Ahmet
dc.contributor.authorGündoğdu, Yasemin
dc.contributor.authorKılıç, Hamdi Şükür
dc.date.accessioned2018-06-01T11:00:56Z
dc.date.available2018-06-01T11:00:56Z
dc.date.issued2018
dc.descriptionURL: http://sutod.selcuk.edu.tr/sutod/article/view/406en_US
dc.description.abstractIn this study, Zinc Oxide (ZnO) thin film was deposited on the Silicon (Si) wafer by Pulsed Laser Deposition (PLD) to form n-ZnO/p-Si heterojunction. The morphological and the crystal structure of ZnO thin film was analysed and interpreted by Atomic Force Microscopy (AFM) and X-Ray Diffraction (XRD), respectively. The absorption spectrum was obtained by using the UV-Vis spectra and the band gap (Eg) was found by using Tauc Law. The current density-Voltage (J-V) plot was obtained at room temperature (RT) in the dark and under illumination. The barrier height (BH) and ideality factor were found about 0.46 eV and 1.35, respectively. The largest values of open circuit voltage (Voc) and short-circuit current (Jsc) were about 100 mV and 3×10-2 mA/cm2, respectively. It has been measured that ZnO/Si heterojunction diode behaves a solar cell like device under the illumination conditions.en_US
dc.description.abstractBu çalışmada, n-ZnO/p-Si heteroeklem oluşturmak için Silikon (Si) wafer üzerine Çinko Oksit (ZnO) ince film Puls Lazer Deposizasyon (PLD) ile depozit edilmiştir. ZnO ince filmin morfolojik ve kristal yapısı, sırasıyla Atomik Kuvvet Mikroskopu (AFM) ve X-Ray Kırınımı (XRD) ile analiz edilmiş ve yorumlanmıştır. Soğurma spektrumu UV-Vis spektrumu kullanılarak elde edilmiş ve bant aralığı (Eg) Tauc yasası kullanılarak bulunmuştur. Akım yoğunluğu-Gerilim (J-V) grafiği, oda sıcaklığında (RT) karanlıkta ortamda ve ışık altında elde edilmiştir. Bariyer yüksekliği (BH) ve idealite faktörü sırasıyla yaklaşık 0.46 eV ve 1.35 bulunmuştur. Açık devre voltajının (Voc) ve kısa devre akım yoğunluğunun (Jsc) en büyük değerleri sırasıyla 100 mV ve 3x10-2 mA/cm2’dir. ZnO/Si heteroeklem diyotunun ışık altında güneş piline benzer bir cihaz gibi davrandığı gözlemlenmiştir.en_US
dc.identifier.citationGezgin, S. Y., Kepceoğlu, A., Toprak, A., Gündoğdu, Y., Kılıç, H. Ş. (2018). Diode property of n-ZnO/p-Si heterojunction structure in the dark and illumination condition. Selçuk-Teknik Dergisi, 17, (1), 19-30.en_US
dc.identifier.endpage30
dc.identifier.issn1302-6178en_US
dc.identifier.startpage19
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12395/10937
dc.identifier.volume17
dc.language.isoenen_US
dc.publisherSelçuk Üniversitesi Teknik Bilimler Meslek Yüksekokuluen_US
dc.relation.ispartofSelçuk-Teknik Dergisien_US
dc.relation.publicationcategoryMakale - Kategori Belirleneceken_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.selcuk20240510_oaigen_US
dc.subjectHeterojunctionen_US
dc.subjectHeteroeklemen_US
dc.subjectOpen circuit voltageen_US
dc.subjectAçık devre voltajıen_US
dc.subjectShort circuit currenten_US
dc.subjectKısa devre akımıen_US
dc.subjectBarrier heighten_US
dc.subjectBariyer yüksekliğien_US
dc.subjectİdealite faktörüen_US
dc.subjectIdeality factoren_US
dc.titleDiode property of n-ZnO/p-Si heterojunction structure in the dark and illumination conditionen_US
dc.title.alternativeKaranlık ve aydınlık şartlarda n-ZnO/p-Si heteroeklem yapısının diyot özelliğien_US
dc.typeArticleen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
Serap YİĞİT GEZGİN Abdullah KEPCEOĞLU Ahmet TOPRAK Yasemin GÜNDOĞDU Hamdi Şükür KILIÇ.pdf
Boyut:
384.31 KB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Makale
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.51 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Dergi Yayın Koleksiyonu
Fizik/Makale Koleksiyonu