Küprik oksit/silisyum heteroeklemli nanodiyotların fotovoltaik özellikleri

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorAkgül, Funda Aksoy
dc.date.accessioned2018-07-23T07:59:36Z
dc.date.accessioned2017-03-16
dc.date.available2018-07-23T07:59:36Z
dc.date.issued2017
dc.date.submitted2017-05-02
dc.descriptionURL:http://sujest.selcuk.edu.tr/sumbtd/article/view/466en_US
dc.description.abstractAygıt uygulamaları için nanoyapılı materyallerin sentezlenmesinde, ucuz olması sebebiyle solüsyon-bazlı yaklaşımlar kullanılır. Bu çalışmada, Küprik oksit/Silisyum p-n heteroeklemli nanodiyotların fotovoltaik performansı incelenmiştir. Yüksek yoğunluklu ve dikey olarak düzgün sıralanmış Silisyum nanotel kümeleri, n-tipi (100)-yönelimli kristal Silisyum dilimi üzerine akımsız dağlama tekniği ile sentezlendi. Daha sonra, üç-boyutlu heteroyapılar üretmek için p-tipi Küprik oksit ince filmleri Silisyum nanoteller üzerine kimyasal depolama yöntemi ile kaplandı. Akım-gerilim (I-V) ölçümleri, üretilen heteroeklemli diyotların fotovoltaik özelliklerini incelemek için kullanıldı. AM 1.5 G aydınlatma koşulları altında en yüksek güç dönüştürme verimliliği %0,58 olarak bulundu. Ayrıca, 400-1100 nm arasında geniş bir dalgaboyu spektrumunda oldukça yüksek dış kuantum verimi saptandı.en_US
dc.description.abstractSolution-based approaches are used to prepare nanostructured materials for device applications to reduce material production and device fabrication costs. In this study, photovoltaic performance of Cupric oxide/Silicon p-n heterojunction nanodiodes were investigated. Highly dense and vertically well-aligned Silicon nanowire arrays were successfully synthesized on a n-type (100)-oriented Si wafer through electroless etching technique. p-type Cupric oxide thin films were then coated onto Silicon nanowires via chemical bath deposition method to form three-dimensional heterostructures. Current-voltage (I-V) measurements were utilized to examine photovoltaic properties of the fabricated heterojunction diodes. The maximum power conversion efficiency were found to be 0.58% under simulated solar irradiation of AM 1.5 G. Furthermore, relatively high external quantum efficiency over a broadband spectrum of wavelengths between 400-1100 nm was detected.en_US
dc.identifier.citationAkgül, F. A. (2017). Küprik oksit/silisyum heteroeklemli nanodiyotların fotovoltaik özellikleri. Selçuk Üniversitesi Mühendislik, Bilim ve Teknoloji Dergisi, 5, (4), 460-471.en_US
dc.identifier.endpage471
dc.identifier.issn2147-9364en_US
dc.identifier.startpage460
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12395/11394
dc.identifier.volume5
dc.language.isotren_US
dc.publisherSelçuk Üniversitesi Mühendislik Fakültesien_US
dc.relation.ispartofSelçuk Üniversitesi Mühendislik, Bilim ve Teknoloji Dergisien_US
dc.relation.publicationcategoryMakale - Kategori Belirleneceken_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.selcuk20240510_oaigen_US
dc.subjectKüprik oksit ince filmien_US
dc.subjectP-n heteroeklemli fotovoltaik diyoten_US
dc.subjectSilisyum nanotelleren_US
dc.subjectCupric oxide thin filmen_US
dc.subjectP-n heterojunction photovoltaic diodeen_US
dc.subjectSi nanowiresen_US
dc.titleKüprik oksit/silisyum heteroeklemli nanodiyotların fotovoltaik özelliklerien_US
dc.title.alternativePhotovoltaic characteristics of cupric oxide/silicon heterojunction nanodiodesen_US
dc.typeArticleen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
Funda AKSOY AKGÜL.pdf
Boyut:
1.09 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Makale
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.51 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Dergi Yayın Koleksiyonu