Al/p-Si (100) Schottky engelli diyotların I-V ölçümleri
| dc.contributor.advisor | Yüksel, Ömer Faruk | |
| dc.contributor.author | Bayram, Hilmi | |
| dc.date.accessioned | 2017-10-27T12:25:44Z | |
| dc.date.available | 2017-10-27T12:25:44Z | |
| dc.date.issued | 2010-07-01 | |
| dc.department | Enstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı | en_US |
| dc.description.abstract | Bu çalışmada, (100) yönelimli, 280 kalınlığında, bor (B) katkılı p tipi Si kullanılarak termal buharlaştırma metodu ile Al/p-Si diyot hazırlandı. Bu diyotun 296-380 K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklar için akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler kullanılarak, farklı yöntemlerle schottky diyotun idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç parametreleri hesaplandı. | en_US |
| dc.description.abstract | In this study; We have prepared Al/p-Si Schottky diodes in the (100) orientation, with the thickness of 280 B-doped obtained by thermal evaporating system. Current-voltage (I-V) characteristic of this diode were measured at different temperatures in the range of 296-380 K. Using these experimental data ideality factory, barrier height and series resistance parameters of this Schottky diode was calculated with different methods. | en_US |
| dc.identifier.citation | Bayram, H. (2010). Al/p-Si (100) Schottky engelli diyotların I-V ölçümleri. Selçuk Üniversitesi, Yayımlanmış yüksek lisans tezi, Konya. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12395/6365 | |
| dc.language.iso | tr | en_US |
| dc.publisher | Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü | en_US |
| dc.relation.publicationcategory | Tez | en_US |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en_US |
| dc.selcuk | 20240510_oaig | en_US |
| dc.subject | Metal-yarıiletken kontaklar | en_US |
| dc.subject | Schottky diyot | en_US |
| dc.subject | Metal-semiconductor contacts | en_US |
| dc.subject | Schottky diode | en_US |
| dc.title | Al/p-Si (100) Schottky engelli diyotların I-V ölçümleri | en_US |
| dc.title.alternative | I-V measurements of Al/p-Si (100) Schottky barriers diodes | en_US |
| dc.type | Master Thesis | en_US |
