Yazar "Şafak, Haluk" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 14 / 14
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe Analysis of I-V Measurements on Ag/p-SnS and Ag/p-SnSe Schottky Barriers(Pergamon-Elsevier Science Ltd, 2002) Şafak, Haluk; Şahin, Mehmet; Yüksel, Ömer FarukIn this study, we have performed current-voltage (I-V) measurements on single crystals p-SnS and p-SnSe at different temperatures in the vicinity of room temperature. These compound semiconductors belong to IV-VI layered material class. Hence, they show strong anisotropy for all properties. We realized all measurements on the easy cleavage plane perpendicular c-axis. From I-V characteristics, we have tried to determine some intrinsic and contact properties such as barrier heights, diode ideality factors and carrier concentrations. It has been found that both contacts are in Schottky type, while Ag/p-SnSe structures has showed better diode behavior.Öğe Anizotropik Ortamda Işığın Davranışı: Stokes - Mueller Matris Hesaplaması(Selçuk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, 2006) Şafak, Haluk; Alptekin, Sebahaddin; Güleç, AtillaAnizotropik bir ortamın çift kırıcılık ve çift renklilik özellikleri Mueller matris formalizmi çerçevesinde analitik olarak incelenmiş ve farklı olası durumlar için lineer ve dairesel kutuplanma derecelerinin ışığın ortam içerisinde aldığı yol ile değişimi araştırılmıştır.Öğe Bazı Tek ve Çift Eksenli Nonlineer Kristallerin Optik Özellikleri(Selçuk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, 2007) Karabulut, İbrahim; Şafak, Haluk; Yüksel, Ömer FarukBu çalışmada, Optiksel Parametrik Salinim (OPO) sistemlerinde kullanılan bazı tek ve çift eksenli kristallerin temel fiziksel ve optik özellikleri incelenmiştir. Yüksek dönüşüm kazancına sahip koherent isik elde etmek için gereken koşullar tartışılmiştir. Ayrıca, faz uyum koşullarinin kristallerin çeşitli parametreleriyle değişimleri incelenmiştir. Numerik hesaplamalar KDP ve KTP kristalleri için gerçekleştirilmiştir.Öğe Bir Cam Malzemenin Kırılma İndisinin Elipsometrik Yöntemle Belirlenmesi(Selçuk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, 2002) Çelik, Gültekin; Şafak, HalukBu çalışmada bir cam malzemenin kırılma indisi elipsometri yöntemi ile belirlenmiştir. Yapılan çalışmada Laser ışık kaynağı kullanılarak değişik gelme açılarında ölçümler alınmıştır. Bulunan deneysel parametreler bilgisayar ortamında değerlendirilerek cam malzemenin kırılma indisi hesaplanmıştır. Bulunan sonuçların literatür ile uyum içerisinde olduğu görülmüştür.Öğe Çok Tabakalı Hiperbolik Metamalzeme ile Oluşturulan Geniş Band Optik Soğurucu(Selçuk Üniversitesi, 2022) Eşen, Sevinç; Şafak, HalukBu çalışmada, özellikle optik bölgede geniş band soğurma gösteren çok tabakalı bir hiperbolik metamalzeme tasarlanmıştır. Tasarlanan yapıda üç farklı metal (Ag, Au ve Al) ve yarıiletken bir malzeme (InGaAs) kullanılmıştır. Hesaplamalarda Transfer Matris Metodundan (TMM) yararlanılmıştır. Bu yöntem kullanılarak tasarlanan çok tabakalı yapıların optik soğurma ve yansıma spektrumları gelme açısına bağlı olarak incelenmiştir. Metal-dielektrik çok tabakalı yapıların hiperbolik dispersiyon gösterdiği bölgeler belirlenmiş, ayrıca gelme açısına bağlı kontur grafikleri elde edilmiştir. Yapılan hesaplamalar sonucunda, metal olarak gümüşün kullanıldığı heteroyapının en iyi soğurma spektrumu verdiği gözlenmiştir.Öğe Dispersion Analysis of SnS and SnSe(2002) Şafak, Haluk; Merdan, Mustafa; Yüksel, Ömer FarukThe reflectance spectra of single crystals of SnS and SnSe were measured at normal incidence by unpolarized light. The refractive indices of speciemens were calculated by Kramers-Kronig Analysis. On the basis of the Wemple diDomenico single oscillator model, the dispersion parameters were determined. It is found that the parameters obtained by unpolarized light are, in general close to those reported for polarized cases. Morever, a close similarity were observed with E//b polarization for SnS.Öğe Efficiency of Genetic Algorithm and Determination of Ground State Energy of Impurity in a Spherical Quantum Dot(World Scientific Publ Co Pte Ltd, 2003) Şafak, Haluk; Şahin, Mehmet; Gülveren, Berna; Tomak, MehmetIn the present work, genetic algorithm method (CA) is applied to the problem of impurity at the center of a spherical quantum dot for infinite confining potential case. For this purpose, any trial variational wave function is considered for the ground state and energy values are calculated. In applying the GA to the problem under investigation, two different approaches were followed. Furthermore, a standard variational procedure is also performed to determine the energy eigenvalues. The results obtained by all methods are found in satisfactory agreement with each other and also with the exact values in literature. But, it is found that the values obtained by genetic algorithm based upon wavefunction optimization are closer to the exact values than standard variational and also than gene-tic algorithm based on parameter optimization methods.Öğe Farklı ortamlar için Jones-Mueller matris hesaplaması(2005) Alptekin, Sebahaddin; Şafak, HalukIşığın Kutuplanma temsili çeşitli yöntemlerle belirlenebilir. Işık izotropik bir ortamda ilerlerken kutuplanma durumunda herhangi bir değişme söz konusu değildir. Bu durumda, ışığın soğurulmasından dolayı sadece şiddetinde bir azalma söz konusudur. Fakat, eğer ışık anizotropik bir ortam boyunca ilerlerse kutuplanma durumları kayda değer bir biçimde değişir. Bu çalışmada Anizotropik ortam boyunca ilerleyen ışığın kutuplanma temsili 2x2'lik Jones matrisi ile temsil edildi [1]. Ancak kısmen kutuplanmış ışığın kutuplanma gösterimi 4x4'lük Mueller matrisi ile temsil edilmiştir. Mueller matrisi herhangi bir anizotropik ortamda ilerleyen ışığın temel özelliklerin belirler.Öğe İnce film Cu x S/CdS güneş pilleri(Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 1989) Şafak, Haluk; Engin, Remziİnsanlığın günümüzde ulaştığı yüksek uygarlık düzeyi, yaşam biçimini önemli ölçüde değiştirmiştir. Teknoloji ve sanayileşme, beraberinde getirdiği birçok önemli soruna karşın yaşamın her alanını kuşatmış, karşılaşılan hemen tüm sorunlara pratik çözümler getirmiş ve günlük gereksinimlerin karşılanmasında büyük kolaylıklar sağlamıştır. Ancak, tüm bu teknolojik yapı tam anlamı ile enerjiye bağımlı olup, enerjinin yokluğunda yaşam tamamen felce uğrayacaktır. Çalışmada, insanlığın yaşamında hayati bir öğe durumuna gelen enerjinin sağlandığı kaynaklar kısaca değerlendirilmiş, bu kaynakların tükenme tehlikesine karşı alınabilecek önlemler arasında bulunan alternatif enerji kaynaklarından güneş enerjisi üzerinde durulmuştur, özellikle, güneş enerji sinden elektrik enerjisi elde edilmesi amacıyla geliştirilen yapılar (güneş pilleri) incelenmiş, bu yapıların çalışma biçimi, temel özellikleri ve hazırlanma yöntemleri anlatılmıştır. Bu yapılardan, ince film formunda, Cux8 S/CdS hücreler, birçok özelliklerinden dolayı yoğun araştırmalara konu olmaktadır. Bu nedenle çalışma da daha çok, Cux8/CdS güneş pillerinin özellikleri, hücreyi etkileyen çeşitli faktörler, bozulma mekanizmaları ve hücreden elde edilebilecek gücün bir ölçüsü olan dönüştürme verimleri incelenmektedir. Bu tip bir yapı ve bölgesel ışıma değerleri için, belirli yaklaşımlar al tında, yapıdan sağlanabilecek verim değeri teorik olarak hesaplanmıştır.Öğe İnce Filmlerin Optik Özelliklerinin Elipsometrik Yöntemle Belirlenmesi(Selçuk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, 2002) Çelik, Gültekin; Şafak, HalukBu çalışmada ince fimlerirı optikseI karakterizasyonunda sıkça kullanılan polarimetrik bir yöntem olan Elipsometri tekniği incelenmiştir. Yapılan çalışmada bir elektromagnetik dalganın elipsometre düzeneği içersindeki davranışı ayrıntılı olarak ele alınmıştır. Daha sonra elipsometrik parametreler ve denklemler tanımlanmış ve her hangi bir ince film için kırılma indisi ve soğurma katsayısının elipsometrik yöntemle nasıl hesaplandığı açıklanmıştır.Öğe Optical Properties of Modified Epoxy Resin with Various Oxime Derivatives in the UV-ViS Spectral Region(WILEY, 2011) Durmuş, Haziret; Şafak, Haluk; Akbaş, Hatice Zehra; Ahmetli, GülnareOptical absorbance measurements have been performed on the epoxy resin and the composites prepared by its modification with two different oxime derivatives (benzaldoxime and 2-furaldoxime) in the wavelength interval of 190-680 nm by unpolarized light. Using the experimental absorbance data, dielectric constant and refractive index dispersion have been determined by means of standard oscillator fit procedure. Moreover, based on the dispersion analysis, direct and indirect band gap energies of the samples have been calculated. It is found that direct band energy for epoxy is nearly 3.49 eV, while its value for the oxime derivatives has been increased up to the 4.15 eV. Another important result to be pointed out is that the absorbance for the 2-furaldoxime doped resin has been greatly increased in a respectively, narrow interval (similar to 30 nm wide) in the UV region, while in the case for the benzaldoxime doped sample, a decreasing has been observed in the absorbance at the same region. (C) 2010 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci 120: 1490-1495, 2011Öğe Photoionization Cross Section and Refractive-İndex Change of Hydrogenic Impurities in a CdS-SiO2 Spherical Quantum Dot(Versita, 2010) Yılmaz, Sait; Şafak, Haluk; Şahingöz, Recep; Erol, MustafaIn this study, we calculate the photoionization cross section and refractive-index change of an on-center hydrogenic impurity in a CdS-SiO2 spherical quantum dot. In numerical calculations, both the finite- and infinite-confinement cases are considered and a variational scheme is adopted to determine the energy eigenvalues for the impurity. The variations of the photoionization cross section with the dot radius, the refractive-index change, and the normalized photon energy are investigated, and the effect of the potential-barrier height on the cross section is discussed. The results obtained show that the photoionization cross section and the refractive-index change in CdS-SiO2 spherical quantum dots are sensitively dependent on the incident optical intensity and on the dot sizes.Öğe Thickness dependence of dispersion parameters of the MoOx thin films prepared using the vacuum evaporation technique(ELSEVIER SCIENCE SA, 2015) Akın, Ümmühan; Şafak, HalukThe optical behaviors of molybdenum oxide thin films are highly important due to their widespread applications. In the present paper, the effect of thickness on the structure, morphology and optical properties of molybdenum oxide (MoOx) thin films prepared on Corning glass substrates using thermal evaporation technique was studied. The structure and morphology of films were characterized using Xray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM), respectively, while their optical properties were investigated by UV-VIS-NIR spectrophotometry in the spectral range from 300 to 2500 nm. It was observed that whole films have amorphous structure and also they showed rather high transmittance values reached nearly up to 90%. Absorption analysis showed two types of electronic transitions; both direct and indirect interband transition energy values of films decrease from 4.47 to 3.45 eV and from 3.00 to 2.75 eV, respectively, with increasing the film thickness, while the width of the localized states tail increases with thickness. This decrease in the band gap value can be attributed to the rising oxygenion vacancy densities with the thickness. The refractive indices of films were calculated from Sellmeier coefficients determined by nonlinear curve fitting method based on the measured transmittance spectral data. The dispersion of the refractive index was discussed in terms of the Wemple-DiDomenico singleos-cillator model. The dispersion parameters such as average oscillator energy, E-o, the dispersion energy, E-d, and static refractive index n(o) were evaluated and they found to vary significantly with the film thickness. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.Öğe Yarıiletken IV-VI tabakalı bileşiklerden SNS ve SNSE'de optik band kenarı ölçümleri(Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 1997-05-30) Şafak, Haluk; Merdan, MustafaBu çalışma tabakalı bileşiklerden olan SnS ve SnSe yarıiletken malzemelerinde, özellikle temel band kenarı civarında optik özelliklerin nasıl değiştiğinin araştırılması amacıyla yapılmıştır. Bu amaçla, tek kristal SnS ve SnSe yarıiletken malzemeleri üzerinde, yakın morötesi, görünür ve yakın kırmızıötesi spektral bölgeyi kapsayan soğurma ve yansıma ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Soğurma spektrumları ilk olarak standard yöntemlerle analiz edilmiş ve direkt ve indirekt geçiş enerjileri belirlenmeye çalışılmıştır. Daha sonra, özellikle indirekt geçiş enerjilerinin tayininde sıkça kullanılan diferansiyel yöntemi yardımı ile numunelerin indirekt geçiş enerjileri ve geçişe katılan fonon enerjileri belirlenmiştir. Yansıma ölçüm sonuçlan ise, özellikle bulk numunelerin yansıma spektrumlarının değerlendirilmesinde yaygın biçimde kullanılan Kramers-Kronig yöntemi yardımı ile analiz edilmiş, bu amaçla elde edilen yansıma verileri bir bilgisayar programı yardımı ile sayısal integrasyona tabi tutularak sonuçta numunelere ait birçok temel optik parametre, kırılma indisi, dielektrik sabiti v.b. belirlenmiştir. Bunlara ek olarak, Kramers-Kronig dönüşümü sonucu bulunan kırılma indisi verileri üzerinde Wemple diDomenico dispersiyon analizi gerçekleştirilmiş ve numunelere ait dispersiyon parametreleri tayin edilmiştir. Elde edilen sonuçlar, her iki numune için de bulunan kırılma indisi ve ilgili diğer optik sabitlerin, kutuplanmış ışık ile bulunan sonuçlara genelde yakın olduğunu ortaya koymuştur. Belirlenen geçiş enerji değerleri farklı kutuplanma durumları ile elde edilen değerlere yakın veya bunların bir ortalaması şeklindedir. Wemple diDomenico dispersiyon analizi sonucu bulunan dispersiyon parametreleri ise genelde daha küçük çıkmıştır ki bu, kutuplanmamış ışık kullanıldığından beklenilen bir durumdur.
