Yazar "Gezgin, Serap Yiğit" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 6 / 6
  • Küçük Resim
    Öğe
    CZTS ince film güneş pilleri için plazmonik etki ile güneş pili veriminin arttırılması
    (Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2019) Gezgin, Serap Yiğit; Kılıç, Hamdi Şükür
    Bu doktora çalışmasının ana konusu, CZTS güneş hücrelerinin üretimi ve plasmonik nanoparçacıkların CZTS ince filmlerin içine gömülümü ile CZTS güneş hücrelerinin verimlerinin arttırılmasıdır. CZTS güneş hücrelerinin üretimine ön çalışma olarak PLD tekniği ile ITO/ZnO/CZTS/Al, ITO/CZTS/ZnO/Al, ITO/CdS/CZTS/Ag ve ITO/CZTS/CdS/Ag heteroeklem ince film diyot yapıları üretilmiştir. n-tipi ZnO ve CdS yarı-iletkenler ile p-tipi CZTS yarı-iletken ince filmler PLD ile tabaka-tabaka formunda büyütülmüşlerdir. ZnO ince filmler oksijen gaz basıncına, CdS ince filmler ise laser puls sayısına bağlı olarak oda sıcaklığında bir alt tabaka üzerine poli-kristal yapıda üretilmişlerdir. CZTS ince filmler 375ºC sülfürizasyon sıcaklığında tavlanarak poli-kristal yapıya dönüştürülmüşlerdir. İdeal morfolojik, kristal ve optik özelliklere sahip ZnO ve CdS ince filmler belirlenerek CZTS ince film ile heteroeklem diyot yapıları oluşturulmuşlardır. Bu diyot yapıları, karanlık ortamda doğrultma davranışı sergilerken, aydınlık şartlarda fotovoltaik özellik göstermişlerdir. Ayrıca, ışığın doğrudan hem n-tipi hem de p-tipi yarı-iletkenlerinin üzerine gönderilmesi sonucunda diyotlar, iki yönlü güneş hücrelerine benzer bir foto elektrik davranış sergilemiştir. PLD tekniğinin kullanılması ile CZTS ultra ince filmler kalınlığa ve sülfürizasyon tavlama sıcaklığına bağlı olarak, Au/Si/CZTS/Ag ve Al/Si/CZTS/Ag heteroeklem güneş hücreleri üretilmiştir. CZTS ultra ince filmlerin morfolojik, kristal ve optik özellikleri tez içerisinde ayrıntılı olarak incelenmiş ve yorumlanmıştır. CZTS güneş hücrelerinin aydınlık ortamda J-V karakteristik değerleri elde edilmiş, Jsc, Voc, FF ve η parametreleri belirlenmiştir. Her iki güneş hücresi yapısı için en yüksek güç dönüşüm verimine ulaştıran ultra ince filmin kalınlığı ve sülfürizasyon sıcaklığı saptanmıştır. Ayrıca, çok düşük kalınlıkta olan CZTS ultra ince filmlerin yeterli miktarda foton soğuramadığı ve bu nedenle bu CZTS güneş hücrelerinin verimlerinin bir miktar düşük kaldığı gözlenmiştir. CZTS ultra ince filmler tarafından daha fazla foton soğurulabilmesi ve foto-akımın artırılabilmesi için plasmonik nanoparçacıkların LSPR özelliği incelenmiştir. PLD tekniğinin laser enerjisi ve Ar arka plan gaz basıncı kontrol edilerek, LSPR pikin oluştuğu dalga boyu bölgesi ayarlanabilmiştir ve optik özellikleri tezde ayrıntılı olarak tartışılmıştır. Uzun dalga boyu bölgesinde LSPR piki oluşturmuş Au nanoparçacıkları, PLD tekniği ile iki farklı kalınlıktaki CTZS ultra ince filmlerin içerisine gömülerek bu ultra ince filmlerin soğurganlıkları arttırılmıştır. Bu plasmonik CZTS ultra ince filmler ile oluşturulan Au/Si/CZTS/Ag yapısındaki güneş hücrelerinin fotoakımı ve güç dönüşüm verimleri arttırılmıştır. Bu doktora tez çalışmasında, PLD tekniği kullanılarak üretilen CZTS diyot yapıları ile ultra ince film CZTS ve plasmonik CZTS güneş hücresi üretimi ve karakterizasyon çalışmaları, literatür kapsamında ilk defa gerçekleştirilmiştir. Üretilen CZTS aygıtlarının, diyot ve güneş hücresi alanındaki araştırmalara ışık tutacağı ve daha etkili çalışmaların ortaya konacağı düşünülmektedir.
  • Küçük Resim
    Öğe
    DIODE PROPERTY OF n-ZnO/p-Si HETEROJUNCTION STRUCTURE IN THE DARK AND ILLUMINATION CONDITION
    (Selçuk Üniversitesi, 2018) Toprak, Ahmet; Gündoğdu, Yasemin; Kılıç, Hamdi Şükür; Kepçeoğlu, Abdullah; Gezgin, Serap Yiğit
    In this study, Zinc Oxide (ZnO) thin film was deposited on the Silicon (Si) wafer by Pulsed Laser Deposition (PLD) to form n-ZnO/p-Si heterojunction. The morphological and the crystal structure of ZnO thin film was analysed and interpreted by Atomic Force Microscopy (AFM) and X-Ray Diffraction (XRD), respectively. The absorption spectrum was obtained by using the UV-Vis spectra and the band gap (Eg) was found by using Tauc Law. The current density-Voltage (J-V) plot was obtained at room temperature (RT) in the dark and under illumination. The barrier height (BH) and ideality factor were found about 0.46 eV and 1.35, respectively. The largest values of open circuit voltage (Voc) and short-circuit current (Jsc) were about 100 mV and 3×10-2 mA/cm2 ,respectively. It has been measured that ZnO/Si heterojunction diode behaves a solar cell like device under the illumination conditions.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Diode property of n-ZnO/p-Si heterojunction structure in the dark and illumination condition
    (Selçuk Üniversitesi Teknik Bilimler Meslek Yüksekokulu, 2018) Gezgin, Serap Yiğit; Kepceoğlu, Abdullah; Toprak, Ahmet; Gündoğdu, Yasemin; Kılıç, Hamdi Şükür
    In this study, Zinc Oxide (ZnO) thin film was deposited on the Silicon (Si) wafer by Pulsed Laser Deposition (PLD) to form n-ZnO/p-Si heterojunction. The morphological and the crystal structure of ZnO thin film was analysed and interpreted by Atomic Force Microscopy (AFM) and X-Ray Diffraction (XRD), respectively. The absorption spectrum was obtained by using the UV-Vis spectra and the band gap (Eg) was found by using Tauc Law. The current density-Voltage (J-V) plot was obtained at room temperature (RT) in the dark and under illumination. The barrier height (BH) and ideality factor were found about 0.46 eV and 1.35, respectively. The largest values of open circuit voltage (Voc) and short-circuit current (Jsc) were about 100 mV and 3×10-2 mA/cm2, respectively. It has been measured that ZnO/Si heterojunction diode behaves a solar cell like device under the illumination conditions.
  • Küçük Resim
    Öğe
    I-V Characteristics Calculation Using SCAPS-1D Program
    (Selçuk Üniversitesi, 2021) Gezgin, Serap Yiğit; Gündoğdu, Yasemin; Kılıç, Hamdi Şükür; Houimi, Amina
    Bu çalışmada, güneş pili modellemesi için en yaygın kullanılan simülasyon yazılımlarından birini sunuyoruz. SCAPS-1D programının kullanımı bu çalışmada adım adım anlatılmıştır. İlk adımda, heteroeklem güneş pillerini sunduk ve fotovoltaik etkiyi açıkladık. SCAPS programının işleyişini açıklamak için, bu programın kısa bir tarihçesiyle başladık ve ardından farklı özelliklerinin genel bir tanımıyla devam ettik. Bu programı çalıştırmak ve bir güneş pilinin I-V özelliklerini elde etmek için gereken tüm bu adımları önceden tanımlanmış bir örnek aracılığıyla netleştirdik. Sonunda, CdS/CIGS heteroeklemli güneş pili üzerindeki Voc ve Jsc üzerindeki optik bant aralığı değişiminin örnek bir çalışmasını yaptık.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Pulslu Laser Depozisyon (PLD) yöntemi ile üretilen FTO ve ZnO ince filmlerin morfolojik ve optik özellikleri
    (Selçuk Üniversitesi Teknik Bilimler Meslek Yüksekokulu, 2017) Gezgin, Bahri; Gezgin, Serap Yiğit; Kepceoğlu, Abdullah; Gündoğdu, Yasemin; Kılıç, Hamdi Şükür
    Bu çalışmada, PLD tekniği ile oda sıcaklığında (RT) soda lime cam (SLG) alt tabaka üzerine büyütülen Flor (F) katkılı SnO2 (FTO) ve ZnO ince filmlerin üretiminde; laser enerjisinin, filmlerin optik ve morfolojik özellikleri üzerine etkileri incelenmiştir. Bununla birlikte, faklı O2 gaz basıncında ZnO ince filmleri büyütülmüş ve bir ZnO ince film 300 oC sıcaklıkta tavlanmıştır. İnce filmlerin, morfolojik yapısı Atomik Kuvvet Mikroskop (AFM) yöntemi, kristal yapısı ise X-ışını kırınımı (XRD) yöntemi ile analiz edilmiştir. FTO ve ZnO ince filmleri genel olarak gözenekli yapıdadır. PLD ile oda sıcaklığındaki SLG üzerine büyütülen FTO ve ZnO ince filmler polikristal yapıya sahiptirler. İnce filmler spektrumun görünür bölgesinde şeffaftırlar ve 3.75 eV (FTO), 3.50 eV (ZnO), 3.30 eV (tavlanmış ZnO) bant aralıklarına (Eg) sahiptirler. Çalışmada, laser enerjisi (FTO ve ZnO ince filmlerinin), O2 gaz basıncı ve tavlama sıcaklığı değerlerinin (sadece ZnO ince filminin) üretilen ince filmlerin morfolojik ve kristal yapıları ile optik özellikleri üzerine etkileri ayrıntılı olarak incelenmiş ve yorumlanmıştır.
  • Küçük Resim
    Öğe
    PULSLU LASER DEPOZİSYON (PLD) YÖNTEMİ İLE ÜRETİLEN FTO ve ZnO İNCE FİLMLERİN MORFOLOJİK VE OPTİK ÖZELLİKLERİ
    (Selçuk Üniversitesi, 2017) Gezgin, Bahri; Kepçeoğlu, Abdullah; Gündoğdu, Yasemin; Kılıç, Hamdi Şükür; Gezgin, Serap Yiğit
    Bu çalışmada, PLD tekniği ile oda sıcaklığında (RT) soda lime cam (SLG) alt tabaka üzerine büyütülen Flor (F) katkılı SnO2 (FTO) ve ZnO ince filmlerin üretiminde; laser enerjisinin, filmlerin optik ve morfolojik özellikleri üzerine etkileri incelenmiştir. Bununla birlikte, faklı O2 gaz basıncında ZnO ince filmleri büyütülmüş ve bir ZnO ince film 300 o C sıcaklıkta tavlanmıştır. İnce filmlerin, morfolojik yapısı Atomik Kuvvet Mikroskop (AFM) yöntemi, kristal yapısı ise X-ışını kırınımı (XRD) yöntemi ile analiz edilmiştir. FTO ve ZnO ince filmleri genel olarak gözenekli yapıdadır. PLD ile oda sıcaklığındaki SLG üzerine büyütülen FTO ve ZnO ince filmler polikristal yapıya sahiptirler. İnce filmler spektrumun görünür bölgesinde şeffaftırlar ve 3.75 eV (FTO), 3.50 eV (ZnO), 3.30 eV (tavlanmış ZnO) bant aralıklarına (Eg) sahiptirler. Çalışmada, laser enerjisi (FTO ve ZnO ince filmlerinin), O2 gaz basıncı ve tavlama sıcaklığı değerlerinin (sadece ZnO ince filminin) üretilen ince filmlerin morfolojik ve kristal yapıları ile optik özellikleri üzerine etkileri ayrıntılı olarak incelenmiş ve yorumlanmıştır.