Yazar "Kavruk, Ahmet Emre" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 6 / 6
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    A detailed investigation of electronic and intersubband optical properties of AlxGa(1-x)As/Al0.3Ga0.7As/AlyGa1-yAs/Al0.3Ga0.7As multi-shell quantum dots
    (IOP PUBLISHING LTD, 2014) Kavruk, Ahmet Emre; Sahin, Mehmet; Atav, Ulfet
    In this study, we have investigated the electronic and intersubband optical properties of Al x Ga1-x As/Al0.3Ga0.7As/Al y Ga1-y As/Al0.3Ga0.7As multi-shell quantum dot heterostructures as a function of the Al doping concentrations in both the core (x) and the well (y) regions for cases with and without a hydrogenic donor impurity. Our results reveal how resonant absorption wavelengths and absorption coefficient strengths are changed by variation of the Al content in the core (x) and well (y) regions. Besides this, how the electronic and intersubband optical properties of this structure are affected by the existence of the impurity has also been shown. The physical reasons for this relationship between the electronic and optical properties of this structure and the Al content in the core and well regions have been discussed in detail.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    A detailed investigation of electronic and optical properties of single exciton in GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs/AlyGa1-yAs multi-shell quantum dot
    (TAYLOR & FRANCIS LTD, 2018) Kavruk, Ahmet Emre
    The fundamental quantum mechanical properties of quantum dots (QDs), such as energy levels and corresponding wave functions, have important effects on characteristics of hi-tech electro-optical nano devices. The quantum mechanical properties of QDs are determined via the material content, shape and size of the structures. In this study, the electronic and interband optical properties of GaAs / Al(x)GA(1-x)As / GaAs / AlyGa1-yAs multi-shell quantum dot (MSQD) heterostructures as a function of the Al concentrations both in the interior (x) and in the exterior (y) barrier regions have been investigated theoretically for different sizes of core, barrier and well regions. For this purpose, Poisson and Schrodinger equations have been solved numerically by a self-consistent approach. Results of our calculations show that the electronic and optical properties of MSQDs can be changed effectively and this controllability makes them excellent candidates for new generation devices.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    An investigation of the gate dependence in an electronic Aharonov-Bohm interferometer
    (ACADEMIC PRESS LTD- ELSEVIER SCIENCE LTD, 2012) Ozturk, Teoman; Kavruk, Ahmet Emre; Atav, Ulfet
    In this study we have obtained the dependence of the electronic distribution on the gate shape and the applied gate voltage in a quantum Hall effect based Aharonov-Bohm interferometer using a method presented in our previous studies. We have discussed the relation between the distribution of incompressible strips and observation of Aharonov-Bohm oscillations. We have obtained the distributions of the incompressible strips for various gate voltages and have shown that a gate potential sweep and a magnetic field sweep would be equivalent. Our calculations also predict that for wider gate separations it is possible observe a silent region while sweeping the magnetic field or the gate voltage. (C) 2012 Elsevier Ltd. All rights reserved.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Kuantum Hall olayının nano ölçekli yapılada incelenmesi
    (Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2010) Kavruk, Ahmet Emre; Yüksek, Hüseyin
    Bu çalışmada kuantum Hall olayı ve bu olayla bağlantılı olarak nano ölçekli yapılarda elektron dağılımı ve perdelenmiş potansiyelde gözlenen kenar etkileri kuramsal olarak incelenmiştir. İncelemede üç boyutlu Poisson denklemi ve Thomas-Fermi denklemi öz-uyumlu olarak çözülmüştür. Poisson denkleminin çözümünde Green fonksiyonları ve Fourier dönüşümü kullanılan çalışmamızın ilk aşamalarında elektronik Mach-Zehnder interferometresi incelenmiştir. Çalışmamızın kalan kısmında üç boyutlu Poisson denklemi sayısal olarak çözülmüştür. Kuantum Hall çubuğunda oluşan sıkıştırılamaz şeritlerin konum ve kalınlıklarının sıcaklığa, manyetik alana, yapıdaki ortalama elektron yoğunluğuna, kapıların geometrisine ve kapılar üzerindeki gerilime bağlılığı incelenmiştir. Ayrıca üç boyutlu Poisson denklemini sayısal olarak çözdüğümüz hesaplama yöntemiyle Mach-Zehnder interferometresini incelemiş ve girişimin gözlenebilirliğindeki değişiklikler tespit edilmiştir. Elde edilen sonuçlar şimdiye kadar yapılan deneylerle ve teorik çalışmalarla karşılaştırılmış ve nitel olarak uyum gözlenmiştir.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Linear and nonlinear optical properties of GaAs/Al(x)Ga1-xAs/GaAs/Al(y)Ga1-yAs multi-shell spherical quantum dot
    (AMER INST PHYSICS, 2013) Kavruk, Ahmet Emre; Sahin, Mehmet; Koc, Fatih
    In this work, the optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs/AlyGa1-yAs multi-shell quantum dot heterostructure have been studied as a function of Al doping concentrations for cases with and without a hydrogenic donor atom. It has been observed that the absorption coefficient strength and/or resonant absorption wavelength can be adjusted by changing the Al content of inner-barrier and/or outer-barrier regions. Besides, it has been shown that the donor atom has an important effect on the control of the electronic and optical properties of the structure. The results have been presented as a function of the Al contents of the inner-barrier x and outer-barrier y regions and probable physical reasons have been discussed. (c) 2013 AIP Publishing LLC.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Slater ve Gaussian tipi orbitalleri kullanarak bazı atomların elektrik dipol geçişlerinin incelenmesi
    (Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2003-09-18) Kavruk, Ahmet Emre; Yüksel, Hüseyin
    Bu çalışmada Slater Tipi Orbataller (STO) ve Gaussian Tipi Orbitaller (GTO) kullanılarak bazı atomların, elektrik dipol yaklaşıklığı altında ilk uyarılmış seviyeden temel seviyeye kendiliğinden geçiş olasılıkları hesaplanmıştır. STO 1ar için gerçekleştirilen hesaplamada, dipol moment operatörünün beklenen değerleri için analitik ifadeler türetilmiştir. Elde edilen bu ifadeler kullanılarak, C-derleyicisinde bir bilgisayar programı yazılmış ve Li, Na ve N atomları için geçiş olasılıkları hesaplanmıştır. Benzer hesaplamalar, aynı atomlar için GTO 1ar kullanılarak da yapılmış ve bunun için Gaussian 98 programı kullanılmıştır. STO ve GTO larla yapılan hesaplamalardan elde edilen sonuçların birbirleriyle ve literatürle uyum içinde olduğu görülmüştür.