Metal/organik/inorganik Schottky diyodların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2012-07-18
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada organik ara yüzeyli GaAs yarıiletkenli Schottky diyot hazırlandı. Hazırlanan diyotların 75-350 K sıcaklık aralığında akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Akım-gerilim karakteristiklerinden idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç gibi diyota ait bazı parametreler hesaplandı. Bu parametreler farklı metotlarla elde edilerek karşılaştırmalı olarak verilmiştir. Elde edilen parametrelerden hazırlanan diyotun iyi bir doğrultucu özelliği taşıdığı ve ideal diyot davranışına yakın olduğu tespit edildi. Ayrıca perylene ara yüzeyli Schottky diyotun ara yüzey durumlarını belirlemek için oda sıcaklığında 1MHz frekansında sığa-gerilim karakteristikleri incelendi. Bu ölçümlerden taşıyıcı yoğunluğu, engel yüksekliği gibi diyota ait bazı elektriksel parametreler elde edildi. Akım-gerilim ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliği ile sığa-gerilim ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliği karşılaştırılmalı olarak verildi. Her iki yöntemden elde edilen değerlerin uyum içinde olduğu gözlendi.
In this study, the GaAs semiconductor Schottky diodes with organic interface have been fabricated. The current- voltage characteristics of prepared Schotty diodes have been measured at a range of temperature of 75-350 K. By using current-voltage characteristics, the idealite factor, barrier height and some other parameters of diode have been calculated for all temperatures. These parameters were given as comparatively. It was observed that the diode have a good rectification behavior at all temperature and considerably near the ideal diode behavior. Besides, for determine the interface states of Schottky diode with perylene interface, capacitance-voltage characteristics have been investigated at room temperature for 1MHz frequency. From these measurements, concentration of ionized donors, barrier height and some other diode parameters have been obtained. Some parameters of diode have been compared with the results obtained by different methods. It was seen that there is a good agreement with each other.
In this study, the GaAs semiconductor Schottky diodes with organic interface have been fabricated. The current- voltage characteristics of prepared Schotty diodes have been measured at a range of temperature of 75-350 K. By using current-voltage characteristics, the idealite factor, barrier height and some other parameters of diode have been calculated for all temperatures. These parameters were given as comparatively. It was observed that the diode have a good rectification behavior at all temperature and considerably near the ideal diode behavior. Besides, for determine the interface states of Schottky diode with perylene interface, capacitance-voltage characteristics have been investigated at room temperature for 1MHz frequency. From these measurements, concentration of ionized donors, barrier height and some other diode parameters have been obtained. Some parameters of diode have been compared with the results obtained by different methods. It was seen that there is a good agreement with each other.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Organik yarıiletkenler, Metal-yarıiletken kontaklar, Schottky kontak, Elektriksel özellikler, PMI, Organic emiconductors, Metal-semiconductor contacts, Schottky contacts, Electrical properties
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Şimşir, N. (2012). Metal/organik/inorganik Schottky diyodların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu. Selçuk Üniversitesi, Yayımlanmış yüksek lisans tezi, Konya.
