Metal/organik/inorganik Schottky diyodların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorŞafak, Haluk
dc.contributor.authorŞimşir, Narin
dc.date.accessioned2014-12-29T15:39:24Z
dc.date.available2014-12-29T15:39:24Z
dc.date.issued2012-07-18
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu çalışmada organik ara yüzeyli GaAs yarıiletkenli Schottky diyot hazırlandı. Hazırlanan diyotların 75-350 K sıcaklık aralığında akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Akım-gerilim karakteristiklerinden idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç gibi diyota ait bazı parametreler hesaplandı. Bu parametreler farklı metotlarla elde edilerek karşılaştırmalı olarak verilmiştir. Elde edilen parametrelerden hazırlanan diyotun iyi bir doğrultucu özelliği taşıdığı ve ideal diyot davranışına yakın olduğu tespit edildi. Ayrıca perylene ara yüzeyli Schottky diyotun ara yüzey durumlarını belirlemek için oda sıcaklığında 1MHz frekansında sığa-gerilim karakteristikleri incelendi. Bu ölçümlerden taşıyıcı yoğunluğu, engel yüksekliği gibi diyota ait bazı elektriksel parametreler elde edildi. Akım-gerilim ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliği ile sığa-gerilim ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliği karşılaştırılmalı olarak verildi. Her iki yöntemden elde edilen değerlerin uyum içinde olduğu gözlendi.en_US
dc.description.abstractIn this study, the GaAs semiconductor Schottky diodes with organic interface have been fabricated. The current- voltage characteristics of prepared Schotty diodes have been measured at a range of temperature of 75-350 K. By using current-voltage characteristics, the idealite factor, barrier height and some other parameters of diode have been calculated for all temperatures. These parameters were given as comparatively. It was observed that the diode have a good rectification behavior at all temperature and considerably near the ideal diode behavior. Besides, for determine the interface states of Schottky diode with perylene interface, capacitance-voltage characteristics have been investigated at room temperature for 1MHz frequency. From these measurements, concentration of ionized donors, barrier height and some other diode parameters have been obtained. Some parameters of diode have been compared with the results obtained by different methods. It was seen that there is a good agreement with each other.en_US
dc.identifier.citationŞimşir, N. (2012). Metal/organik/inorganik Schottky diyodların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu. Selçuk Üniversitesi, Yayımlanmış yüksek lisans tezi, Konya.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12395/1179
dc.language.isotren_US
dc.publisherSelçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.selcuk20240510_oaigen_US
dc.subjectOrganik yarıiletkenleren_US
dc.subjectMetal-yarıiletken kontaklaren_US
dc.subjectSchottky kontaken_US
dc.subjectElektriksel özellikleren_US
dc.subjectPMIen_US
dc.subjectOrganic emiconductorsen_US
dc.subjectMetal-semiconductor contactsen_US
dc.subjectSchottky contactsen_US
dc.subjectElectrical propertiesen_US
dc.titleMetal/organik/inorganik Schottky diyodların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonuen_US
dc.title.alternativeTemperature dependent electrical characterization of metal/organic/inorganic Schottky diodesen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
9_removed (2).pdf
Boyut:
1.09 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Narin Şimşir
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.71 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu