Isısal uyarımlı iletkenlik metodu ve tabakalı tek kristal yapılı yarıiletkenlerdeki uygulaması

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorŞafak, Haluk
dc.contributor.authorKavas, Hüseyin
dc.date.accessioned2018-01-04T10:58:29Z
dc.date.available2018-01-04T10:58:29Z
dc.date.issued2006-05-24
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu çalışma, optik ve elektriksel özellikleri nedeniyle optoelektronik aletlerde yaygın kullanımı olan talyum kalgonitlerinden TlGaSe2 ve TlGaS0.5Se1.5 kristallerindeki kusurların Isısal Uyarımlı İletkenlik (TSC) yöntemi ile tespiti amacıyla yapılmıştır. Bu tezde Isısal uyarımlı iletkenlik yönteminin teorisi, gerekli deney düzeneği, numunelerin hazırlanmasının yanısıra ve deney sonuçlarından kristal kusurlarına ilişkin bazı parametrelerinin (aktivasyon enerjisi, tuzak yakalama kesiti ve tuzak yoğunlukları) nasıl elde edildiği incelenmiş ve bulunan sonuçlar açıklanmıştır. TlGaSe2 numunesinde 98 ve 130 meV (sırasıyla 120.2 ve 153 K) aktivasyon enerjisine sahip kristal kusurlardan kaynaklanan tuzaklanma merkezleri tesbit edilmiştir. Bu tuzak merkezlerine ait tuzak yakalama kesitleri sırasıyla 2.3 Ã 10 â 24 ve 1.8 Ã 10 â 24 cm2 ; tuzak yoğunlukları ise sırasıyla 1.4 Ã 1014 ve 3.8 Ã 1014 cm -3 olarak bulunmuştur. TlGaS0.5Se1.5 numunesinde ise aktivasyon enerjisi 650 meV (216.8 K) tuzaklanma merkezi tesbit edilmiştir. Bu tuzak merkezine ait tuzak yakalama kesiti sırasıyla 8.55 Ã 10 â 18 cm2 ve tuzak yoğunluğu ise 7.15 Ã 1016 cm -3 olarak bulunmuştur.en_US
dc.description.abstractThallium chalcogenides received a great deal of attention due to their optical and electrical properties in view of possible optoelectronic device applications. TlGaSe2 ve TlGaS0.5Se1.5 crystals? defect centers were analyzed by Thermally Stimulated Current (TSC) method. The theory of TSC, sample experimental setup and sample preparation were explained. Then, some parameters such as; activation energy, capture cross section, concentration of trap centers were found from the results of experiments. TlGaSe2 has trapping centers casued by crystal defects with activation energies of 98 and 130 meV (respectively 120.2 and 153 K). These trapping centers have capture cross sections of 2.3 Ã 10 â 24 ve 1.8 Ã 10 â 24 cm2 and concentrations of 1.4 Ã 1014 and 3.8 Ã 1014 cm -3 respectively. Only one trapping center was detected in TlGaS0.5Se1.5 with activation energy of 646 meV (120.2 K). This trapping center has a capture cross section of 8.55 Ã 10 â 18 cm2 and concentration of 7.15 Ã 1016 cm -3.en_US
dc.identifier.citationKavas, H. (2006). Isısal uyarımlı iletkenlik metodu ve tabakalı tek kristal yapılı yarıiletkenlerdeki uygulaması. Selçuk Üniversitesi, Yayımlanmış yüksek lisans tezi, Konya.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12395/7666
dc.language.isotren_US
dc.publisherSelçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.selcuk20240510_oaigen_US
dc.subjectIsısal uyarımlı iletkenliken_US
dc.subjectTabakalı yarıiletkenen_US
dc.subjectAktivasyon enerjisien_US
dc.subjectTuzak yakalanma kesitien_US
dc.subjectTuzak yoğunluğuen_US
dc.subjectConcentration of trapsen_US
dc.subjectCapture cross sectionen_US
dc.subjectActivation energyen_US
dc.subjectLayered semiconductoren_US
dc.subjectThermally stimulated currenten_US
dc.titleIsısal uyarımlı iletkenlik metodu ve tabakalı tek kristal yapılı yarıiletkenlerdeki uygulamasıen_US
dc.title.alternativeThermally stimulated conductivity (tsc) method and its application on layered single semiconductorsen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
183448.pdf
Boyut:
844.91 KB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tez
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.51 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu